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3DD5017 Datasheet Preview

3DD5017 Datasheet

Low-frequency amplification shell rated bipolar transistors

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3DD5017 pdf
华晶分立器件
3DD5017
低频放大管壳额定双极型晶体管
1. 概述与特点
3DD5017 NPN 型高反压大功率晶体管,主要用作彩电开关电源,该产品采用平面结
构。其特点如下:
击穿电压高、漏电流小
开关速度快
饱和压降低
电流特性好
封装形式:TO-3P(H)IS
2. 电特性
15.5max
5.5max
3max
Φ3.6
2.1 极限值
除非另有规定,Tamb= 25
参数名称
符号
集电极-发射极电压 VCE0
额定值
650
单位
V
标记
集电极-基 极电压 VCB0
1100
V
发射极-基 极电压
集电极电流
VEB0
IC
7
15
V
A
2max
0.75max
耗 散 功 Ta=25Ptot
3.0
Tc=25
55 W
结温
Tj 150
5.45 5.45
BCE
3.3min
0.9max
贮存温度
Tstg -55150
2.2 电参数
除非另有规定,Tamb= 25
参数名称
符号
测试条件
集电极-基极截止电流
发射极-基极截止电流
共发射极正向电流传输比
的静态值
集电极-发射极饱和电压
基 极-发射极饱和电压
下降时间
ICB0
IEB0
hFEa1
hFEa2
VCEsata
Va
BEsat
tf
特征频率
fT
a: 脉冲测试 tp≤300μs,δ≤2%
VCB=1100V, IE=0
VEB=7V, IC=0
VCE=5V, IC=1A
VCE=5V, IC=6A
IC=6A, IB=1.2A
IC=6A, IB=1.2A
VCC=200V, IC=7A
2IB1=-IB2=1.4A
VCE=10V, IC=1.2A
f=1.0MHz
规范值
最小 典型 最大
0.5
10
15 40
8
0.5
1.5
0.3
4
单位
mA
μA
V
V
μs
MHz
无锡华润华晶微电子有限公司
1页共2



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3DD5017 Datasheet Preview

3DD5017 Datasheet

Low-frequency amplification shell rated bipolar transistors

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3DD5017 pdf
华晶分立器件
3DD5017
3. 特性曲线
IC (A)
10
安全工作区(直流)
Tcase=25
1
0.1
0.01
1
10 100 VCE (V)
hFE-IC 关系曲线
hFE
Tamb=25
VCE=5V
10
Ptot (W)
50
40
30
20
10
00
Ptot-Tcase
Ptot-Tamb
50
100 T()
VCEsat(V)
1
VCEsat-IC 关系曲线
Tamb=25
Ic/IB=5
0.1
1
0.01
0.1 1
10
VBEsat-IC 关系曲线
IC(A)
VBesat(V)
1.2
Tamb=25
Ic/IB=5
0.01
0.1
1 IC(A)
0.8
0.4
0.1
1
无锡华润华晶微电子有限公司
Ic(A)
2页共2


Part Number 3DD5017
Description Low-frequency amplification shell rated bipolar transistors
Maker Huajing Microelectronics
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