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EKV550 Datasheet

MOS FET

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MOS FET
EKV550
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◆特長
●低オン抵抗
●アバランシェ エネルギー耐量保証
●ゲート静電気保護用ダイオード内蔵
◆アプリケーション
●DC-DC コンバータ
●高速SW
◆内部等価回路
(2)
◆パッケージ
パッケージ名:TO-220
2006 1
(1)
(3)
絶対最大定格
項目
記号
(Ta=25℃)
定格
単位
ドレイン・ソース電圧
DSS
50 V
ゲート・ソース電圧
GSS
±20
ドレイン電流(直 流)
±50A
ド レ イ ン 電 流 ( パ ル ス ) D(pulse) ※1
±150A
許 容 損 失
85 (Tc=25℃)
アバランシェエネルギー耐量
(単一パルス)
AS ※2
150 mJ
アバランシェ電流
AS
50 A
チャネル温度
Tch
150 ℃
保 存 温 度 Tstg
-55~150
※1 PW≦100μsec.,duty cycle≦1%
※2 VDD=20V,L=72μH,ILp=50A,unclamped,RG=50Ω,図1参照
.
サンケン電気株式会社
http://sanken-ele.co.jp
1/8
T02-005JA-051226



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MOS FET
EKV550
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2006 1
電気的特性
項目
記号
条件
ドレイン・ソース降伏電圧 V(BR)DSS ID=100μA,VGS=0V
(Ta=25℃)
規格
単位
MIN TYP MAX
50 V
ゲート・ソース漏れ電流
GSS
VGS=±20V
±10 μA
ドレイン・ソース漏れ電流
DSS
VDS=50V, VGS=0V
100 μA
ゲートしきい値電圧
TH
VDS=10V, ID=250μA 3.0
4.2 V
直流伝達コンダクタンス
e(Yfs) VDS=10V, ID=25A
17
S
直流オン抵抗
DS(ON) ID=25A, VGS=10V
12 15 mΩ
入力容量
出力容量
帰還容量
オン時遅れ時間
立上り時間
オフ時遅れ時間
下降時間
Ciss
Coss
Crss
(on)
d(off)
VDS=10V
VGS=0V
f=1MHz
ID=25A, VDD≒25V
RL=1Ω, VGS=10V
Rg=10Ω
図2参照
2000
1200
500
30
360
130
120
pF
ns
ソース・ドレイン間Di順電圧
SD
ISD=50A,VGS=0V
1.0 1.5 V
.
サンケン電気株式会社
2/8
T02-005JA-051226


Part Number EKV550
Description MOS FET
Maker Sanken
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