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Diotec Semiconductor
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3EZ6.8 Datasheet Preview

3EZ6.8 Datasheet

Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology)

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Silicon-Power-Z-Diodes
(non-planar technology)
3EZ 1 … 3EZ 200 (3 W)
Silizium-Leistungs-Z-Dioden
(flächendiffundierte Dioden)
Dimensions / Maße in mm
Maximum power dissipation
Maximale Verlustleistung
Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
3W
1…200 V
DO-15
DO-204AC
0.4 g
see page 16
siehe Seite 16
Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~5%) standard.
Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request.
Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der
internationalen Reihe E 24 (~5%). Andere Toleranzen oder höhere Arbeitsspannungen auf
Anfrage.
Maximum ratings and Characteristics
Grenz- und Kennwerte
Power dissipation – Verlustleistung
Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms
Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms
TA = 25/C
TA = 25/C
Ptot
PZSM
3.0 W 1)
60 W
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Tj – 50…+150/C
TS – 50…+175/C
RthA < 40 K/W 1)
Thermal resistance junction to lead
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlußdraht
RthL < 15 K/W
Zener voltages see table on next page – Zener-Spannungen siehe Tabelle auf der nächsten Seite
1) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2) Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen
3) The 3EZ 1is a diode, operated in forward. The cathode, indicated by a ring, is to be connected to the negative pole.
Die 3EZ 1 ist eine in Durchlaß betriebene Einzelchip-Diode.
Die durch den Ring gekennzeichnete Kathode ist mit dem Minuspol zu verbinden.
216 28.02.2002



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3EZ6.8 Datasheet Preview

3EZ6.8 Datasheet

Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology)

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3EZ6.8 pdf
3EZ 1 … 3EZ 200 (3 W)
Maximum ratings
Type
Typ
3EZ 1 3)
Zener voltage 2)
Zener-Spanng.2)
IZ = IZtest
VZmin [V] VZmax
0.71 0.82
3EZ 6.2
5.8 6.6
3EZ 6.8
6.4 7.2
3EZ 7.5
7.0 7.9
3EZ 8.2
7.7 8.7
3EZ 9.1
8.5 9.6
3EZ 10
9.4 10.6
3EZ 11
10.4 11.6
3EZ 12
11.4 12.7
3EZ 13
12.4 14.1
3EZ 15
13.8 15.6
3EZ 16
15.3 17.1
3EZ 18
16.8 19.1
3EZ 20
18.8 21.2
3EZ 22
20.8 23.3
3EZ 24
22.8 25.6
3EZ 27
25.1 28.9
3EZ 30
28 32
3EZ 33
31 35
3EZ 36
34 38
3EZ 39
37 41
3EZ 43
40 46
3EZ 47
44 50
3EZ 51
48 54
3EZ 56
52 60
3EZ 62
58 66
3EZ 68
64 72
3EZ 75
70 79
3EZ 82
77 88
3EZ 91
85 96
3EZ 100
94 106
3EZ 110
104 116
3EZ 120
114 127
3EZ 130
124 141
3EZ 150
138 156
3EZ 160
153 171
3EZ 180
168 191
3EZ 200
188 212
Test
current
Meßstrom
IZtest [mA]
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
Dyn. resistance
Diff. Widerst.
Iztest / 1 kHz
rzj [S]
0.5 (<1)
1 (<2)
1 (<2)
1 (<2)
1 (<2)
2 (<4)
2 (<4)
4 (<7)
4 (<7)
5 (<10)
5 (<10)
6 (<15)
6 (<15)
6 (<15)
6 (<15)
7 (<15)
7 (<15)
8 (<15)
8 (<15)
16 (<30)
20 (<40)
24 (<40)
24 (<40)
25 (<60)
25 (<60)
25 (<80)
25 (<80)
30 (<100)
30 (<100)
40 (<150)
60 (<150)
80 (<200)
80 (<200)
90 (<250)
100 (<250)
110 (<300)
120 (<350)
150 (<350)
Temp. Coeffiz.
of Z-voltage
…der Z-spanng.
"VZ [10-4//C]
–26…–16
–1…+6
0…+7
0…+7
+3…+8
+3…+8
+5…+9
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
Grenzwerte
Reverse volt.
Sperrspanng.
IR = 1 :A
VR [V]
Z-current 1)
Z-Strom 1)
TA = 50/C
IZmax [mA]
2000
> 1.5
424
> 2 389
> 2 354
> 3.5
322
> 3.5
292
> 5 264
> 5 241
> 7 220
> 7 199
> 10 179
> 10 164
> 10 147
> 10 132
> 12 120
> 12 109
> 14 97
> 14 88
> 17 80
> 17 74
> 20 68
> 20 61
> 24 56
> 24 52
> 28 47
> 28 42
> 34 39
> 34 35
> 41 32
> 41 29
> 50 26
> 50 24
> 60 22
> 60 20
> 75 18
> 75 16
> 90 15
> 90 13
1) Notes see previous page – Fußnoten siehe vorhergehende Seite
28.02.2002
217


Part Number 3EZ6.8
Description Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology)
Maker Diotec Semiconductor
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