FT2000B
FT2000B is Fast Silicon Rectifiers manufactured by Diotec Semiconductor.
FT 2000 A … FT 2000 G Fast Silicon Rectifiers Version 2004-06-24 Nominal current
- Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx.
- Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
1/Tab = Cathode 2 = Anode
Schnelle Silizium Gleichrichter
20 A 50…400 V TO-220AC 2.2 g
Standard packaging in tubes Standard Lieferform in Stangen
Maximum ratings Type Typ FT 2000 A FT 2000 B FT 2000 D FT 2000 G Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 50 100 200 400
Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 50 100 200 400
Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom
TC = 100°C f > 15 Hz
IFAV IFRM IFSM IFSM i2t
20 A 80 A 1)
Preliminary
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Operating junction temperature
- Sperrschichttemperatur Storage temperature
- Lagerungstemperatur
Vorläufig
TA = 25°C TA = 25°C TA = 25°C 680 A2s Tj TS
375 A
390 A
- 50…+150°C
- 50…+175°C
) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
FT 2000 A … FT 2000 G Characteristics Forward voltage
- Durchlaßspannung Leakage current
- Sperrstrom Reverse recovery time Sperrverzugszeit Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht
- Gehäuse Tj = 25°C Tj = 25°C IF = 20 A VR = VRRM VF IR trr Rth C Kennwerte < 0.94 V < 25 µA < 200 ns
IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
< 2.0 K/W
[%]
100 80 60 40 20...
