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Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-Modules
FZ1200R12KE3
vorläufige Daten preliminary data
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage Kollektor Dauergleichstrom DC collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt Verlustleistung total power dissipation Gate Emitter Spitzenspannung gate emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current Grenzlastintegral I²t value Isolations Prüfspannung insulation test voltage tp= 1ms VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C Tvj= 25°C Tc= 80°C Tc= 25°C tp= 1ms, Tc= 80°C Tc= 25°C; Transistor VCES IC, nom IC ICRM Ptot VGES I
FZ1200R12KE3 Datasheet
