900,000+ datasheet pdf search and download

Datasheet4U offers most rated semiconductors data sheet pdf






Excelliance MOS

EMB21N03P Datasheet Preview

EMB21N03P Datasheet

Field Effect Transistor

No Preview Available !

 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
RDSON (MAX.) 
30V 
21mΩ 
D
ID  6A 
 
 
G
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
385°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
 
 
 
2012/4/26 
EMB21N03P
LIMITS 
±20 
6 
4.5 
24 
1.47 
0.94 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
W 
°C 
MAXIMUM 
18 
85 
UNIT 
°C / W 
p.1 




Excelliance MOS

EMB21N03P Datasheet Preview

EMB21N03P Datasheet

Field Effect Transistor

No Preview Available !

 
 
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C, Unless Otherwise Noted) 
PARAMETER 
SYMBOL
TEST CONDITIONS 
EMB21N03P
LIMITS 
UNIT
MIN  TYP MAX
STATIC 
DrainSource Breakdown Voltage 
Gate Threshold Voltage 
GateBody Leakage 
Zero Gate Voltage Drain Current 
OnState Drain Current1 
DrainSource OnState Resistance1 
Forward Transconductance1 
V(BR)DSS 
VGS(th) 
IGSS 
IDSS 
ID(ON) 
RDS(ON) 
gfs 
VGS = 0V, ID = 250A 
VDS = VGS, ID = 250A 
VDS = 0V, VGS = ±20V 
VDS = 24V, VGS = 0V 
VDS = 20V, VGS = 0V, TJ = 125 °C 
VDS = 5V, VGS = 10V 
VGS = 10V, ID = 6A 
VGS = 4.5V, ID = 4A 
VDS = 5V, ID = 6A 
DYNAMIC 
30   
  V 
1  1.5 3 
    ±100 nA
    1  A
    10 
6   
  A 
  17 21 
mΩ
  28 35 
  16   S 
Input Capacitance 
Output Capacitance 
Reverse Transfer Capacitance   
Total Gate Charge1,2 
GateSource Charge1,2 
GateDrain Charge1,2 
TurnOn Delay Time1,2 
Rise Time1,2 
TurnOff Delay Time1,2 
Fall Time1,2 
Ciss 
Coss 
Crss 
Qg 
Qgs 
Qgd 
td(on) 
tr 
td(off) 
tf 
 
VGS = 0V, VDS = 15V, f = 1MHz 
 
VDS = 15V, VGS = 10V, 
ID = 6A 
 
VDS = 15V,   
ID = 1A, VGS = 10V, RGS = 6Ω 
 
  520  
  88
  pF
  62
 
  11.5  
  1.6   nC
  2.8  
  9 
 
  12
  30
  nS
 
  15
 
SOURCEDRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS (TC = 25 °C) 
Continuous Current 
Pulsed Current3 
Forward Voltage1 
IS 
ISM 
VSD 
Reverse Recovery Time   
trr 
Reverse Recovery Charge 
Qrr 
1Pulse test : Pulse Width  300 sec, Duty Cycle  2. 
2Independent of operating temperature. 
3Pulse width limited by maximum junction temperature. 
 
 
IF = IS, VGS = 0V 
IF = IS, dlF/dt = 100A / S 
 
    2 
A 
    8 
    1.3  V 
  50
  nS
  2 
  nC
2012/4/26 
p.2 


Part Number EMB21N03P
Description Field Effect Transistor
Maker Excelliance MOS
Total Page 5 Pages
PDF Download

EMB21N03P Datasheet PDF

View PDF for Mobile








Similar Datasheet

1 EMB21N03P Field Effect Transistor
Excelliance MOS





Part Number Start With

0    1    2    3    4    5    6    7    8    9    A    B    C    D    E    F    G    H    I    J    K    L    M    N    O    P    Q    R    S    T    U    V    W    X    Y    Z

Site map

Webmaste! click here

Contact us

Buy Components

Privacy Policy