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Huajing Microelectronics

3DD13012AN Datasheet Preview

3DD13012AN Datasheet

Silicon NPN triple diffusion type bipolar transistor

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产品概述
3DD13012 AN NPN
型功率开关晶体管,该产品
采用平面工艺压环终端
构和少寿命控制技术
成了源抗饱和网络
高了产品击穿电压、开关
和可靠性。
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD13012 AN
R
产品特点
开关损
反向漏电流小
特性好
合适开关速
可靠性高
应用
紧凑型电子节能灯
电子镇流器
一般功率开关
特征参数
符号
额定值 单 位
VCEO
IC
PtotTC=25℃)
400
15
120
V
A
W
封装 TO-3P(N)
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40
1 265
相对湿度 <85
内部结构图
C
B
极限值
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp5ms
基极直流电流
基极脉冲电流(tp5ms
耗散功率
结温
贮存温度
热阻
参数名称
结到壳的热阻
结到环境的热阻
无锡华润华晶微电子有限公司
Ta=25
Tc=25
符号
RθJC
RθJA
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
E
额定值
750
400
9
15
30
7.5
15
3
120
150
-55150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
最小值 典型值
2012
最大值
1.04
41.7
单位
/W
/W
1/4




Huajing Microelectronics

3DD13012AN Datasheet Preview

3DD13012AN Datasheet

Silicon NPN triple diffusion type bipolar transistor

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3DD13012 AN
R
电参数
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
符号
测试条件
集电极-基 极截止电流
ICBO VCB=750V, IE=0
集电极-发射极截止电流
ICEO VCE=400V, IB=0
发射极-基 极截止电流
IEBO VEB=9V, IC=0
集电极-基 极电压
VCBO IC=0.1mA
集电极-发射极电压
VCEO IC=1mA
发射极-基 极电压
VEBO IE=0.1mA
发射极正向电流传输比静态hFE* VCE=5V, IC=3A
小电流hFE1 大电流hFE2
集电极-发射极饱和电压
hFE1/ hFE2
VCE
*
sat
hFE1:VCE=5V, IC=50mA
hFE2:VCE=5V, IC=3A
IC=12A, IB=3A
基 极-发射极饱和电压
VBE
*
sat
IC=12A, IB=3A
贮存时间
ts
上升时间
tr UI9600IC=0.5A
下降时间
tf
特征频
fT
VCE=10V, IC=0.5A
f=1MHz
脉冲测试,脉冲tp300μs占空比 δ2%
ts 分档 2~3~4~5μs hFE 分档 20~25~30~35
最小 典型 最大
0.1
0.1
0.1
700
400
9
20 35
单位
mA
mA
mA
V
V
V
0.60 0.65
0.5 1 V
1.2 1.5 V
2 5 μs
1 μs
0.5 μs
5 MHz
有害物质说明
害物质或元素
件名称
含量要求
Pb
引线框
0.1%
汞 镉 六价铬
Hg Cd Cr(VI)
0.1% 0.01% 0.1%
○○○
多溴
联苯
PBB
0.1%
多溴二
苯醚
PBDE
0.1%
六溴
HBCDD
0.1%
苯二 苯二甲 邻苯二
甲酸酯 酸丁酯 酸丁苄酯
DEHP DBP BBP
0.1%
0.1%
0.1%
塑封树脂
○○
○○
○○ ○○ ○ ○ ○ ○ ○○
内引线 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
×○○○ ○ ○ ○ ○ ○○
说明
:表示该元素含量在 SJ/T11363-2006 标准的限量要求以下。
×:表示该元素含量超出 SJ/T11363-2006 标准的限量要求
目前产品的焊料中含Pb成分但属于欧盟 RoHS 指令豁免
无锡华润华晶微电子有限公司
2012
2 /4


Part Number 3DD13012AN
Description Silicon NPN triple diffusion type bipolar transistor
Maker Huajing Microelectronics
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