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Huajing Microelectronics

3DD2102 Datasheet Preview

3DD2102 Datasheet

Silicon NPN bipolar transistor low-frequency amplification

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华润华晶分立器件
NPN 低频放大双极型晶体管
R
3DD2102
1 产品概述:
3DD2102 是硅 NPN 型高反压大功率晶体管,该产品采用平面工
艺,分压环终端结构和少子寿命控制技术,提高了产品的击穿电压、开
关速度和可靠性。
产品封装形式:TO-3P(H)IS,符合 RoHS 指令要求。
特征参数
VCBO
IC
PtotTC=25℃)
1500
6
50
2 产品特点:
● 击穿电压高
TO-3P(H)IS
● 反向漏电小
● 开关速度快
● 饱和压降低
● 电流特性好
3 主要用途:
主要用于 21 英寸彩电的行输出电路。
1
2
1.B
3
2.C
3.E
内部等效原理图
C
B
50
E
V
A
W
产品中有毒有害物质或元素的名称及含量
有害物质或元素
部件名称
镉 六 价 铬 多溴联苯 多溴二苯醚
Pb) (Hg) (Cd) (Cr(VI)(PBB) PBDE
(含量要求) 0.1% 0.1% 0.01% 0.1% 0.1%
0.1%
引线框
塑封树脂
管芯
内引线
焊料
说明
○:表示该元素的含量在 SJ/T11363-2006 标准的限量要求以下。
×:表示该元素的含量超出 SJ/T11363-2006 标准的限量要求。
无锡华润华晶微电子有限公司
1页 共5
2008




Huajing Microelectronics

3DD2102 Datasheet Preview

3DD2102 Datasheet

Silicon NPN bipolar transistor low-frequency amplification

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华润华晶分立器件
4 电特性
极限值
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极电流
耗散功率
Ta=25
Tc=25
结温
贮存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
Ptot
Tj
Tstg
R 3DD2102
额定值
1500
600
5
6
3.5
50
150
-55150
单位
V
V
V
A
W
电参数
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
符号
测试条件
集电极-基 极截止电流
发射极-基 极截止电流
集电极-基 极电压
发射极-基 极电压
共发射极正向电流传输比
的静态值
集电极-发射极饱和电压
基 极-发射极饱和电压
阻尼二极管正向压降
存储时间
下降时间
ICBO
IEBO
VCBO
VEBO
hFE1a
hFE2a
VCE
a
sat
VBE
a
sat
VF
tS
tf
特征频率
fT
a: 脉冲测试 tp300μs,δ≤2%
VCB=1500V, IE=0
VEB=5V, IC=0
IC=1mA
IE=0.2A
VCE=5V, IC=1A
VCE=5V, IC=4A
IC=4A, IB=B 0.8A
IC=4A, IB=B 0.8A
IF=5A
VCC=200V, IC=4A
2IB1= -IB2=1.6A
VCE=10V, IC=0.1A
f=0.3MHz
规范值
最小 典型 最大
1
66 200
1500
5
8 30
59
1.5 5
1 1.3
2
11
0.6
1
单位
mA
mA
V
V
V
V
V
μs
μs
MHz
无锡华润华晶微电子有限公司
2页 共5
2008


Part Number 3DD2102
Description Silicon NPN bipolar transistor low-frequency amplification
Maker Huajing Microelectronics
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