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Huajing Microelectronics

3DD3020A4 Datasheet Preview

3DD3020A4 Datasheet

Silicon NPN bipolar transistor

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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD3020 A4
R
产品概述
3DD3020 A4 是硅 NPN
型功率开关晶体管该产品
采用平面工艺压环终端
构和少子寿命控制技术
成了有源抗饱和网络
了产品击穿电压开关
速度可靠性
存储条件和焊接温度
产品特点
开关损耗低
反向漏电流小
高温特性好
合适的开关速度
可靠性高
应用
充电器
电源转换
一般功率开关电路
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40
1 265
相对湿度 <85
特征参数
符号
VCEO
IC
Ptot Tc=25℃)
额定值
450
1.5
30
单位
V
A
W
封装 TO-252
内部结构图
C
B
极限值 (除非另有规定,Ta= 25℃)
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp5ms
基极直流电流
基极脉冲电流(tp5ms
耗散功率
Ta=25
Tc=25
结温
贮存温度
热阻
参数名称
结到壳的热阻
结到环境的热阻
符号
RθJC
RθJA
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
E
额定值
800
450
9
1.5
3.0
0.75
1.5
1.1
30
150
-55150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
最小值
典型值
最大值
3.5
108
单位
/W
/W
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
1/4




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3DD3020A4 Datasheet Preview

3DD3020A4 Datasheet

Silicon NPN bipolar transistor

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3DD3020 A4
R
电特性(除非另有规定,Ta= 25
参数名称
符号
测试条件
集电极-基 极截止电流
ICBO VCB=800V, IE=0
集电极-发射极截止电流
ICEO VCE=450V, IB=0
发射极-基 极截止电流
IEBO VEB=9V, IC=0
集电极-基 极电压
VCBO IC=0.1mA
集电极-发射极电压
VCEO IC=1mA
发射极-基 极电压
VEBO IE=0.1mA
发射极向电流传输比静态hFE* VCE=5V, IC=0.2A
小电流hFE1 大电流hFE2
集电极-发射极饱和电压
hFE1/ hFE2
VCE
*
sat
hFE1:VCE=5V, IC=5mA
hFE2:VCE=5V, IC=0. 2A
IC=0.5A, IB=0.1A
基 极-发射极饱和电压
VBE
*
sat
IC=0.5A, IB=0.1A
管正向电压
Vf* If = 2 A
贮存时间
ts
上升时间
tr UI9600IC=0.1A
下降时间
tf
征频
fT
VCE=10V, IC=0.1A
f=1MHz
脉冲测试,脉冲tp300μs占空比 δ2%
hFE 分档 20~25~30~35
最小 典型 最大
0.1
0.1
0.1
800
450
9
20 35
单位
mA
mA
mA
V
V
V
0.75 0.9
0.3 0.8 V
1 1.5 V
1.5 V
2 5 μs
1 μs
1 μs
5 MHz
有害物质说明
害物质或元素
邻苯二
邻苯二
件名称
多溴 多溴二
邻苯二
镉 六价铬
甲酸二
甲酸二
联苯 苯醚
甲酸酯
含量要求Pb Hg Cd Cr(VI)
异丁酯
丁酯
PBB PBDE
DEHP
DIBP DBP
引线框
0.1%
0.1%
0.01%
0.1%
0.1%
0.1%
0.1%
0.1%
0.1%
塑封树脂
○○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
引线 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
×○ ○○ ○ ○ ○ ○ ○
说明
:表示该元素含量SJ/T11363-2006 标准的限量要求下。
×:表示该元素含量超出 SJ/T11363-2006 标准的限量要求。
目前产品的焊料中Pb成分但属于欧盟 RoHS 指令豁免
邻苯二
甲酸丁
苄酯
BBP
0.1%
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
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Part Number 3DD3020A4
Description Silicon NPN bipolar transistor
Maker Huajing Microelectronics
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