900,000+ datasheet pdf search and download

Datasheet4U offers most rated semiconductors data sheet pdf






INTEGRAL

KT814 Datasheet Preview

KT814 Datasheet

PNP Transistor

No Preview Available !

КТ814
p-n-p кремниевый
биполярный транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в
ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.
Зарубежные прототипы
Прототип КТ814Б - BD136
Прототип КТ814В - BD138
Прототип КТ814Г - BD140
Особенности
Диапазон рабочих температур корпуса от - 60 до + 125°C
Комплиментарная пара КТ815
Обозначение технических условий
аАО. 336.184 ТУ / 02
Корпусное исполнение
пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126) – КТ814А, Б, В, Г
пластмассовый корпус КТ-89 (DPAK) - КТ814А9, Б9, В9, Г9
Назначение выводов
Вывод
(корпус КТ-27)
1
2
3
Назначение
(корпус КТ-27)
Эмиттер
Коллектор
База
Вывод
(корпус КТ-89)
1
2
3
КТ-27
КТ-89
Назначение
(корпус КТ-89)
База
Коллектор
Эмиттер
КТ814 (январь 2011г., редакция 1.0)
1




INTEGRAL

KT814 Datasheet Preview

KT814 Datasheet

PNP Transistor

No Preview Available !

Таблица 1. Основные электрические параметры КТ814 при Токр. среды = 25 °С
Паpаметpы
Граничное напряжение колл-эмит
КТ814А, А9
КТ814Б, Б9
КТ814В, В9
КТ814Г, Г9
Обратный ток коллектора
КТ814А, А9, Б, Б9
КТ814В, В9, Г, Г9
Обратный ток коллектор-эмиттер
КТ814А, А9, Б, Б9
КТ814В, В9, Г, Г9
Статический коэффициент передачи тока
КТ814А, А9, Б, Б9, В, В9
КТ814Г, Г9
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Обозна-
чение
Uкэо гp.
Ед. измеp
B
Режимы измеpения
Iэ=50mA,
tи=0,3 - 1 мс
Iкбо
Iкэr
h21э
Uкэ нас
мкА
Uкэ=50 В
Uкэ=65 В
мкА
Uкэ=50 В, Rбэ100 Ом
Uкэ=65 В, Rбэ100 Ом
Uкб=2 B, Iэ=0,15A
В Iк=0,5 A, Iб=50 мA
Min Max
30
45
65
85
50
50
100
100
40 275
30 275
0,6
Таблица 2. Предельно допустимые электрические режимы КТ814
Параметры
Напряжение коллектор-эмиттер (Rэб100Ом)
КТ814А, А9
КТ814Б, Б9
КТ814В, В9
КТ814Г, Г9
Напряжение эмиттер-база
Постоянный ток коллектора
Импульсный ток коллектора
Максимально допустимый постоянный ток базы
Рассеиваемая мощность коллектора
Температура перехода
Обозначение
Uкэ max
Uэб max
Iк max
Iки max
Iб max
Pк max
Tпер
Единица измер.
В
В
А
А
А
Вт
°C
Значение
40
50
70
100
5
1,5
3
0,5
10
150
КТ814 (январь 2011г., редакция 1.0)
2


Part Number KT814
Description PNP Transistor
Maker INTEGRAL
PDF Download

KT814 Datasheet PDF






Similar Datasheet

1 KT8101A NPN Transistor
ETC
2 KT8101B NPN Transistor
ETC
3 KT8102A PNP Transistor
ETC
4 KT8102B PNP Transistor
ETC
5 KT8107A NPN Transistor
ETC
6 KT8107A2 NPN Transistor
ETC
7 KT8107B NPN Transistor
ETC
8 KT8107B2 NPN Transistor
ETC
9 KT8107E NPN Transistor
ETC





Part Number Start With

0    1    2    3    4    5    6    7    8    9    A    B    C    D    E    F    G    H    I    J    K    L    M    N    O    P    Q    R    S    T    U    V    W    X    Y    Z

Site map

Webmaste! click here

Contact us

Buy Components

Privacy Policy