DDB6U75N16W1R Datasheet | Infineon

Technische Information/Technical Information IGBT-Module IGBT-modules Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier Höchstzulässige Werte/Maximum Rated Values Periodische Spitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C Durchlassstrom Grenzeffektivwertpro Chip Maximum RMSforwardcurrentperchip TC = 100°C Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom Maximum RMScurrentatrectifieroutput TC = 100°C Stoßstrom Grenzwert Surgeforwardcurrent tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C Grenzlastintegral I²t-value tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C Charakteristische Werte/Characteristic Values Durchlassspannung Forwardvoltage Tvj = 150°C, IF = 65 A Sperrstrom Reversecurrent Tvj = 150°C, VR = 1600 V Wärmewiderstand,Chipbis Gehäuse Thermalresistance,junctiontocase pro Diode/perdiode Wärmewiderstand,Gehäusebis Kühlkörper pro Diode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m- K)/λgrease=1W/(m- K) Temperaturim Schaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Vorläufige Daten Preliminary Data VRRM IFRMSM IRMSM IFSM I²t 605 470 1850...