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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module IGBT-modules
DDB6U75N16W1R
Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip MaximumRMSforwardcurrentperchip
TC = 100°C
GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom MaximumRMScurrentatrectifieroutput
TC = 100°C
StoßstromGrenzwert Surgeforwardcurrent
tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C
Grenzlastintegral I²t-value
tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung Forwardvoltage
Tvj = 150°C, IF = 65 A
Sperrstrom Reversecurrent
Tvj = 150°C, VR = 1600 V
Wärmewiderstand,ChipbisGeh
DDB6U75N16W1R Datasheet
