Datasheet4U Logo Datasheet4U.com

FF650R17IE4D_B2 - IGBT-Module

Key Features

  • Extended Operation Temperature Tvj op.
  • High DC Stability.
  • High Current Density.
  • Low Switching Losses.
  • Tvj op = 150°C.
  • Enlarged Diode for regenerative operation.
  • Low VCEsat Mechanische Eigenschaften.
  • Gehäuse mit CTI > 400.
  • Große Luft- und Kriechstrecken.
  • Hohe Last- und thermische Wechselfestigkeit.
  • Hohe Leistungsdichte.
  • Kupferbodenplatte Module Label Code Barcode Code 128 DMX - Code Mech.

📥 Download Datasheet

📁 Similar Datasheet

Part Number Description Manufacturer
FF600R12KE3 IGBT-Modules eupec GmbH
FF600R16KF4 IGBT eupec GmbH
FF60UA60DN fast Recovery Rectifier INCHANGE
FF6S Surface Mount Glass Passivated Fast Recovery Rectifier GOOD-ARK

Other Datasheets by Infineon

Part Number Description
FF650R17IE4DP_B2 IGBT
FF650R17IE4 IGBT-Module
FF650R17IE4P IGBT
FF650R17IE4V IGBT
FF600R06ME3 IGBT

Full PDF Text Transcription (Reference)

The following content is an automatically extracted verbatim text from the original manufacturer datasheet and is provided for reference purposes only.

View original datasheet text
TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FF650R17IE4D_B2 PrimePACK™2ModulundNTC PrimePACK™2moduleandNTC VorläufigeDaten/PreliminaryData TypischeAnwendungen • 3-Level-Applikationen • Hilfsumrichter • Hochleistungsumrichter • Motorantriebe • Traktionsumrichter • Windgeneratoren VCES = 1700V IC nom = 650A / ICRM = 1300A TypicalApplications • 3-Level-Applications • AuxiliaryInverters • HighPowerConverters • MotorDrives • TractionDrives • WindTurbines ElektrischeEigenschaften • ErweiterteSperrschichttemperaturTvjop • GroßeDC-Festigkeit • HoheStromdichte • NiedrigeSchaltverluste • Tvjop=150°C • VerstärkteDiodefürRückspeisebetrieb • NiedrigesVCEsat ElectricalFeatures • ExtendedOperationTemperatureTvjop • HighDCStability