FZ300R12KE3G Datasheet | Infineon

Technische Information/Technical Information IGBT-Module IGBT-modules 62mm C-Serien Modulmit Trench/Feldstop IGBT3und Emitter Controlled High Efficiency Diode 62mm C-seriesmodulewiththetrench/fieldstop IGBT3and Emitter Controlled High Efficiencydiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter Höchstzulässige Werte/Maximum Rated Values Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C Kollektor-Dauergleichstrom Continuous DCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 150°C TC = 25°C, Tvj max = 150°C Periodischer Kollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent t P = 1 ms Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 150 Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage VCES IC nom IC ICRM Ptot VGES 1200 300 480 600 +/-20 V A W V Charakteristische Werte/Characteristic Values Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 300 A, VGE = 15 V IC = 300 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 12,0 m A, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V Interner Gatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0...