mosfet.
*IncreasedMOSFETdv/dtruggedness
*BetterefficiencyduetobestinclassFOMRDS(on)*EossandRDS(on)*Qg
*ThinPAKSMDPackagewithverylowparasiticind.
accordingtoJEDEC(J-STD20 andJESD22)
Benefits
*Enablinghighersystemefficiencybylowerswitchinglosses
*.
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 Maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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