The following content is an automatically extracted verbatim text
from the original manufacturer datasheet and is provided for reference purposes only.
View original datasheet text
КТ816
p-n-p кремниевый биполярный транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.
Зарубежные прототипы
• Прототип КТ816Б – BD234 • Прототип КТ816В – BD236 • Прототип КТ816Г – BD238
Особенности
• Диапазон рабочих температур корпуса от - 60 до + 150°C • Комплиментарная пара – КТ817
Обозначение технических условий
• аАО. 336.
KT816 Datasheet
