JCS20N65H Description
N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS20N65H 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID 20A VDSS 650 V Rdson（@Vgs=10V） 0.43 Ω Qg 50nC 用途 z 高频开关电源 z 电子镇流器 z LED 电源 APPLICATIONS z High frequency switching mode power supply z Electronic ballast z LED power supply 产品特性 z低栅极电荷 z低 Crss (典型值 85pF) z开关速度快 z产品全部经过雪崩测试 z高抗 dv/dt 能力 zRoHS.
JCS20N65H Key Features
- pulse（note 1）
- 55～+150
- 漏极电流由最高结温限制 -Drain current limited by maximum junction temperature
- 100 μA
- 100 nA
- 100 nA
- 0.4 0.43 Ω
- 2310 2910 pF
- 1270 1660 pF
- 85 120 pF