JCS5N50VT Description
N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS5N50VT/RT/CT/FT 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID 5 A VDSS 500 V Rdson（@Vgs=10V） 1.6Ω Qg 15 nC 用途 z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源 APPLICATIONS z High efficiency switch mode power supplies z Electronic lamp ballasts based on half bridge z UPS 产品特性 z低栅极电荷 z低 Crss (典型值 16pF) z开关速度快 z产品全部经过雪崩测试 z高抗 dv/dt 能力 zRoHS.
JCS5N50VT Key Features
- pulse （note 1） 最高栅源电压
- 55～+150
- 漏极电流由最高结温限制
- Drain current limited by maximum junction temperature
- 100 nA
- 100 nA
- 1.33 1.6 Ω
- 492 633 pF
- 83 110 pF
- 16 22 pF