3DG9013 Description
NPN 硅外延晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR R 3DG9013 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package IC VCEO PC 500mA 20V 625mW 用途 APPLICATIONS z 高频开关电源 z High frequency switching power supply z 高频功率变换 z High frequency power transform z 一般功率放大电路 z monly power amplifier circuit 产品特性 z硅外延 z高开关速度 z与 3DG9012 互补 z环保（RoHS）产品.
3DG9013 Key Features
- hFE VCE(sat)
- VBE(sat) fT
- 100 170 210
- 单位 Unit
- 200 ℃/W