HBR20S45S Description
肖特基势垒二极管 R SCHOTTKY BARRIER DIODE HBR20S45S 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package IF(AV) VRRM Tj VF(max) 20A 45 V 175 ℃ 0.6V （20A Tj=125℃） 用途 l 高频开关电源 l 低压续流电路和保护电 路 APPLICATIONS l High frequency switch power supply l Free wheeling diodes, polarity protection applications TO-220 TO-262 产品特性 l低功耗，高效率 l良好的高温特性 l有过压保护环，高可靠性 l环保（RoHS）产品.