MBR2060 Description
肖特基势垒二极管 R SCHOTTKY BARRIER DIODE MBR2060 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package IF(AV) VRRM Tj VF(max) 20（2×10） A 60 V 150 ℃ 0.65V （@Tj=125℃） 用途 高频开关电源 低压续流电路和保护电 路 APPLICATIONS High frequency switch power supply Free wheeling diodes, polarity protection applications TO-22O 产品特性 共阴结构 低功耗，高效率 良好的高温特性 有过压保护环，高可靠性 环保（RoHS）产品.
MBR2060 Key Features
- mon cathode structure -Low power loss, high efficiency -High Operating Junction