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Jilin Sino

3CT06B Datasheet Preview

3CT06B Datasheet

Sensitive Gate SCRs

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门极灵敏触发型晶闸管
R Sensitive Gate SCRs
3CT06B
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
IT(AV)
VDRM/VRRM
IGT
0.63 A
600 V
10-140 μA
用途
半交流开关
相位控制
APPLICATIONS
Half AC switching
Phase control
序号
Pin
1
2
3
阴极
门极
阳极
引线名称
Description
K
G
A
TO-92
产品特性
玻璃钝化芯片,高可靠性和一致性
低通态电流和高浪涌电流能力
环保 RoHS 产品
FEATURES
Glass-passivated mesa chip for reliability and uniform
Low on-state voltage and High ITSM
RoHS products
TO-92-F1
SOT-223
订货信息 ORDER MESSAGE
订货型号
Order codes
3CT06B-O-T-N-C
3CT06B-O-T-B-C
3CT06B-O-N-N-A
印记
Marking
3CT06B
3CT06B
3CT06B
无卤素
Halogen Free
含卤
含卤
含卤
封装
Package
TO-92
TO-92-F1
SOT-223
包装
Packaging
袋装 Bag
袋装 Bag
编带 Brede
版本:201510F
1/6




Jilin Sino

3CT06B Datasheet Preview

3CT06B Datasheet

Sensitive Gate SCRs

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R
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25)
项目
Parameter
断态重复峰值电压 Repetitive peak off-state voltage
反向重复峰值电压 Repetitive peak reverse voltage
通态平均电流 Average on-state current
通态方均根电流 On-state RMS current ( half sine wave)
非重复浪涌峰值通态电流 Non- repetitive surge peak on-state current
( half sine wave ,t=10ms)
峰值门极电流 Peak gate current
门极峰值电压 Peak gate voltage
反向门极峰值电压 Peak reverses gate voltage
门极峰值功率 Peak gate power
平均门极功率 Average gate power( over any 20ms period)
存储温度 Storage temperature
操作结温 Operation junction temperature
符号
Symbol
VDRM
VRRM
ITAV
IT(RMS)
ITSM
IGM
VGM
VRGM
PGM
PG(AV)
Tstg
TVJ
3CT06B
数值
Value
600
600
0.63
1.0
单位
Unit
V
V
A
A
8A
1
5
5
2
0.1
-40~150
125
A
V
V
W
W
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTIC (TC=25unless otherwise stated)
项目
符号
测试条件
最小 典型 最大
Parameter
Symbol
Tests conditions
min typ max
断 态 峰 值 重 复 电 流 Peak Repetitive
Blocking Current
IDRM
VDM=VDRM, Tj=125,
RGK=1KΩ
反 向 峰 值 重 复 电 流 Peak Repetitive
Reverse Current
IRRM
VRM=VRRM, Tj=125,
RGK=1KΩ
峰值通态电压 Peak on-state voltage
VTM ITM=2A
门极触发电流 Gate trigger current
IGT VDM=12V,IT=0.1A
门极触发电压 Gate trigger voltage
VGT VDM=12V,IT=0.1A
维持电流 Holding current
IH VDM=12V, IGT=1mA
- - 0.1
- - 0.1
- 1.8
10 - 140
- 0.65 0.8
- -5
单位
Unit
mA
mA
V
μA
V
mA
动态特性 DYNAMIC CHARACTERISTICS (TC=25unless otherwise stated)
项目
符号
测试条件
最小 典型 最大 单位
Parameter
Symbol
Tests conditions
min typ max Unit
断态临界电压上升率
Critical rate of rise of off- state voltage dV/dt
VDM=67% VDRM(MAX),
Tj=125,RGK=1KΩ
10 -
- V/μs
版本:201510F
2/6


Part Number 3CT06B
Description Sensitive Gate SCRs
Maker Jilin Sino
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Jilin Sino





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