HBR10200F Description
肖特基势垒二极管 R SCHOTTKY BARRIER DIODE HBR10200 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package IF(AV) VRRM Tj VF(max) 10（2×5）A 200 V 175 ℃ 0.75V （@Tj=125℃） 用途 z 高频开关电源 z 低压续流电路和保护电 路 APPLICATIONS z High frequency switch power supply z Free wheeling diodes, polarity protection applications TO-22OC 产品特性 z共阴结构 z低功耗，高效率 z良好的高温特性 z有过压保护环，高可靠性 z环保（RoHS）产品.