Datasheet Summary
肖特基势垒二极管 R SCHOTTKY BARRIER DIODE
HBR20200
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
IF(AV) VRRM Tj VF(max)
20（2×10）A
200 V 175 ℃ 0.75V （@Tj=125℃）
用途 z 高频开关电源 z 低压续流电路和保护电
路
APPLICATIONS z High frequency switch power supply z Free wheeling diodes, polarity protection applications
产品特性 z共阴结构 z低功耗，高效率 z良好的高温特性 z有过压保护环，高可靠性 z环保（RoHS）产品
Features zmon cathode structure zLow power loss, high efficiency zHigh Operating Junction
Temperature zGuard ring for overvoltage protection，High reliability zRoHS product
TO-22OC TO-22OHF
TO-22OF
订货信息 ORDER MESSAGE
订货型号
印记
封装
Order codes
Marking
Package
HBR20200C
HBR20200 TO-220C
HBR20200 TO-220C
HBR20200F
HBR20200...
