深圳市力迈电子有限公司
LM6852DL
NPN低压开关晶体管/NPN Low Voltage Switching Transistor
●特点：■击穿的电压稳定■开关速度快■安全工作区宽■符合ROHS规范
●FEATURES:■LOW VOLTAGE CAPABILITY ■HIGH SPEED SWITCHING ■WIDE SOA ■ROHS COMPLIANT
●应用■节能灯■电子镇流器等开关电路
●APPLICATION:■FLUORESCENT LAMP ■ELECTRONIC BALLAST ECT.
●最大额定值（TC=25℃）
●Absolute Maximum Ratings (Tc=25℃)
参数名称
PARAMETER
集电极-基极电压
Collector-Base Voltage
集电极-发射极电压
Collector-Emitter Voltage
发射极-基极
Emitter-Base Voltage
符号
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
额定值
VALUE
400
210
9
单位
UNIT
V
V
V
集电极电流
Collector Current
Ic 2.0
A
集电极耗散功率
PC 16 W
Total Power Dissipation
最高工作温度
Junction Temperature
Tj 150 ℃
贮存温度
Storage Temperature
电特性（TC=25℃）
TsTg
-55-150
℃
封装形式：TO-92
Electrical Characteristics(Tc=25℃)
参数名称
CHARACTERISTICS
集电极-基极截止电流
Collector-Base Cutoff Current
集电极-发射极截止电流
Collector-Emitter Cutoff Current
集电极-发射极电压
Collector-Emitter Voltage
发射极-基极电压
Collector-Base Voltage
符号
SYMBOL
ICBO
ICEO
VCEO
VEBO
集电极-发射极饱和压降
Collector-Emitter Saturation Voltage
Vcesat
测试条件
TEST CONDITION
VCB=400V
VCE=200V,IB=0
IC=10mA,IB=0
IE=1mA,IC=0
IC=0.5A,IB=0.1A
IC=1.5A,IB=0.5A
最小值
MIN
210
9
最大值
MAX
5
10
0.35
0.8
发射极-基极饱和压降
Base-Emitter Saturation Voltage
电流放大倍数
DC Current Gain
Vbesat
Hfe
IC=1.5A,IB=0.5A
VCE=5V,IC=200uA
VCE=5V,IC=0.2A
VCE=5V,IC=2A
8
15
6
1.2
30
贮存时间
Storage Time
下降时间
falling time
ts
VCC=5V
1.5 3.0
IC=0.25A
tf (UI9600)
0.8
内置二极管正向压降
Diode Forward Voltage
Vf
IC=1.0A
2.0
注意事项：1、使用时不要外接续流保护二极管
2、基极驱动电流应较强，确保不出现基极驱动不足，但也不能太强，超过PNP管的控制范围。
BCE
单位
UNIT
uA
uA
V
V
V
V
V
us
V
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