J108 Datasheet | Micross

J108 N-CHANNEL JFET Linear Systems replaces discontinued Siliconix J108 This n-channel JFET is optimised for low noise high performance switching. The part is particularly suitable for use in low noise audio amplifiers. The TO-92 package is well suited for cost sensitive applications and mass production. (See Packaging Information). Features   DIRECT REPLACEMENT FOR SILICONIX J108  LOW ON RESISTANCE  r DS(on) ≤ 8Ω  FAST SWITCHING  t(on) ≤ 4ns  ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS @ 25°C (unless otherwise noted)  Maximum Temperatures  Storage Temperature  ‐55°C to +150°C  J108 Benefits: Operating Junction Temperature  ‐55°C to +150°C  - Low On Resistance Maximum Power Dissipation  - Low insertion loss Continuous Power Dissipation   350m W  - Low Noise MAXIMUM CURRENT J108 Applications: Gate Current (Note 1)  50m A  - Analog Switches MAXIMUM VOLTAGES  - mutators Gate to Drain Voltage  VGDS = ‐25V  - Choppers Gate to Source Voltage  VGSS = ‐25V      J108 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted) SYMBOL  CHARACTERISTIC  MIN  TYP.  MAX  UNITS  CONDITIONS  BVGSS  Gate to Source Breakdown Voltage  ‐25  ‐‐  ‐‐    IG = 1µA,   VDS = 0V    VGS(off)  Gate to Source Cutoff Voltage  ‐3  ‐‐  ‐10  VDS = 5V, ID = 1µA  V  VGS(F)  Gate to Source Forward Voltage  ‐‐  0.7  ‐‐  IG = 1m A,   VDS = 0V  IDSS  Drain to Source Saturation Current (Note 2)  80  ‐‐  ‐‐  m A  VDS = 15V, VGS = 0V  IGSS  Gate Reverse Current  ‐‐  ‐0.01  ‐3    VGS = ‐15V,  VDS = 0V  n A  IG  Gate Operating Current  ‐‐  ‐0.01  ‐‐  VDG = 10V,  ID = 10m A  ID(off)  Drain Cutoff Current  ‐‐   0.02  3  VDS = 5V, VGS = ‐10V  r DS(on)  Drain to Source On Resistance  ‐‐  ‐‐  8  Ω  VGS = 0V,  VDS ≤ 0.1V                J108 DYNAMIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)  SYMBOL  CHARACTERISTIC  MIN  TYP.  MAX  UNITS  CONDITIONS  gfs  Forward Transconductance  ‐‐  17  ‐‐  m S  VDS = 5V,  ID = 10m A , f = 1k Hz  gos  Output Conductance  ‐‐  0.6  ‐‐  r DS(on)  Drain to Source On Resistance  ‐‐  ‐‐  8  Ω ...