J309 Datasheet | Micross

J309 N-CHANNEL JFET Linear Systems replaces discontinued Siliconix J309 The J309 is a high frequency n-channel JFET offering a wide range and low noise performance. The TO-92 package is well suited for cost sensitive applications and mass production. (See Packaging Information). Features   DIRECT REPLACEMENT FOR SILICONIX J309  OUTSTANDING HIGH FREQUENCY GAIN   LOW HIGH FREQUENCY NOISE  ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS @ 25°C1   Gpg = 11.5d B  NF = 2.7d B  Maximum Temperatures  Storage Temperature  ‐55°C to +150°C  - High Power Low Noise gain Operating Junction Temperature  ‐55°C to +135°C  - Dynamic Range greater than 100d B Maximum Power Dissipation  - Easily matched to 75Ω input Continuous Power Dissipation   350m W  J309 Applications: MAXIMUM CURRENT Gate Current  10m A  - UHV / VHF Amplifiers MAXIMUM VOLTAGES  - Mixers Gate to Drain Voltage or  Gate to Source Voltage   ‐25V  - Oscillators         J309 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted) SYMBOL  CHARACTERISTIC  MIN  TYP.  MAX  UNIT  CONDITIONS  BVGSS  Gate to Source Breakdown Voltage  ‐25  ‐‐  ‐‐  V  VDS = 0V, IG = ‐1µA  VGS(F)  Gate to Source Forward Voltage  0.7  ‐‐  1  VDS = 0V, IG = 10m A  VGS(off)  Gate to Source Cutoff Voltage  ‐1  ‐‐  ‐4  VDS = 10V,  ID = 1n A  IDSS  Drain to Source Saturation Current2  12  ‐‐  30  m A  VDS = 10V, VGS = 0V  IG  Gate Operating Current (Note 3)  ‐‐  ‐15  ‐‐  p A  VDG = 9V,  ID = 10m A  r DS(on)  Drain to Source On Resistance  ‐‐  35  ‐‐  Ω  VGS = 0V,  ID = 1m A                J309 DYNAMIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)  SYMBOL  CHARACTERISTIC  MIN  TYP.  MAX  UNIT  CONDITIONS  gfs  Forward Transconductance  10  14  ‐‐  m S  VDS = 10V,   ID = 10m A , f = 1k Hz  gos  Output Conductance  ‐‐  110  250  µS  Ciss  Input Capacitance  ‐‐  4  5  p F  VDS = 10V,   VGS = ‐10V , f = 1MHz   Crss  Reverse Transfer Capacitance  ‐‐  1.9  2.5  en  Equivalent Noise Voltage  6  ‐‐  ‐‐  n V/√Hz  VDS = 10V,    ID = 10m A ,  f = 100Hz                J309 HIGH FREQUENCY ...