2N6041 Datasheet | onsemi

MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document by 2N6040/D Plastic Medium-Power plementary Silicon Transistors . . . designed for general- purpose amplifier and low- speed switching applications. - High DC Current Gain - h FE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc - Collector- Emitter Sustaining Voltage - @ 100 m Adc - VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) - 2N6040, 2N6043 VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) - 2N6041, 2N6044 VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) - 2N6042, 2N6045 - Low Collector- Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ IC = 4.0 Adc - 2N6040,41, 2N6043,44 VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc - 2N6042, 2N6045 - Monolithic Construction with Built- In Base- Emitter Shunt Resistors MAXIMUM RATINGS (1) Rating 2N6040 2N6043 60 60 2N6041 2N6044 80 80 2N6042 2N6045 100 100 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Symbol VCEO VCB VEB IC IB PD Unit Vdc Vdc Vdc Adc Collector- Emitter Voltage Collector- Base Voltage Emitter- Base Voltage 5.0 8.0 16 Collector Current - Continuous Peak Base Current 120 m Adc Watts W/_C Total Power Dissipation @ TC = 25_C Derate above 25_C Operating and Storage Junction, Temperature Range Characteristic 75 0.60 TJ, Tstg - 65 to + 150 2N6040 thru 2N6042- NPN 2N6043 thru 2N6045- - Motorola Preferred Device DARLINGTON 8 AMPERE PLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60 - 80 - 100 VOLTS 75 WATTS _C THERMAL CHARACTERISTICS...