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LAE67B - Power TOPLED Hyper-Bright LED

Features

  • package: white P-LCC-4 package.
  • feature of the device: more light due to higher optical efficiency; higher ambient temperature at the same current possible compared to TOPLED.
  • wavelength: 617 nm (amber).
  • viewing angle: Lambertian Emitter (120°).
  • technology: InGaAlP.
  • optical efficiency: 21 lm/W.
  • grouping parameter: luminous intensity, forward voltage.
  • assembly methods: suitable for all SMT assembly methods.
  • solderin.

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Datasheet Details

Part number LAE67B
Manufacturer ams OSRAM
File Size 199.70 KB
Description Power TOPLED Hyper-Bright LED
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  • LAE675-T2 - Power TOPLED Hyper-Bright LED (Siemens Group)
  • LAE675-U1 - Power TOPLED Hyper-Bright LED (Siemens Group)
  • LAE675-U2 - Power TOPLED Hyper-Bright LED (Siemens Group)
  • LAE4001R - NPN microwave power transistor (Philipss)
  • LAE4002S - NPN microwave power transistor (Philipss)
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www.DataSheet4U.com Power TOPLED Hyper-Bright LED LA E67B Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale • Gehäusetyp: weißes P-LCC-4 Gehäuse • Besonderheit des Bauteils: mehr Licht durch erhöhten optischen Wirkungsgrad; höhere Umgebungstemperatur bei gleichem Strom im Vergleich zur TOPLED möglich • Wellenlänge: 617 nm (amber) • Abstrahlwinkel: Lambertscher Strahler (120°) • Technologie: InGaAlP • optischer Wirkungsgrad: 21 lm/W • Gruppierungsparameter: Lichtstärke, Durchflussspannung • Verarbeitungsmethode: für alle SMT-Bestücktechniken geeignet • Lötmethode: IR Reflow Löten und Wellenlöten (TTW) • Vorbehandlung: nach JEDEC Level 2 • Gurtung: 8 mm Gurt mit 2000/Rolle, ø180 mm oder 8000/Rolle, ø330 mm • ESD-Festigkeit: ESD-sicher bis 2 kV nach EOS/ESD-5.
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