RD3G500GN Datasheet | ROHM

　　Nch 40V 50A Power MOSFET VDSS RDS(on)(Max.) ID PD 40V 4.9mΩ ±50A 35W l Features 1) Low on - resistance 2) High power package (TO-252) 3) Pb-free lead plating ; Ro HS pliant 4) Halogen free l Outline DPAK TO-252 　 　　　　　　 l Inner circuit 　　 Datasheet 　 l Packaging specifications Packing Reel size (mm) l Application Switching Type Tape width (mm) Quantity (pcs) Taping code Marking l Absolute maximum ratings (Ta = 25°C ,unless otherwise specified) Parameter Symbol Value Drain - Source voltage Continuous drain current Pulsed drain current Gate - Source voltage Avalanche current, single pulse Avalanche energy, single pulse Power dissipation Junction temperature Operating junction and storage temperature range VDSS ID- 1 IDP- 2 VGSS IAS- 3 EAS- 3 PD- 1 Tj Tstg 40 ±50 ±100 ±20 50 94 35 150 -55 to +150 Embossed Tape 330 16 2500 TL Unit V A A V A m J W ℃ ℃ 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 .rohm. © 2019 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/11 - Rev.002 　 　 　 　 　 　　 　 l Thermal resistance Parameter Thermal resistance, junction - case 　 　 　 　 　 　 　 　 Datasheet 　 　 　　　　　　　　　　　　　　　　 Symbol Rth JC- 1 Values Unit Min. Typ. Max. - - 3.5 ℃/W l Electrical characteristics (Ta =...