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D30FDC15ST Datasheet Preview

D30FDC15ST Datasheet

Schottky Barrier Diode

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Twin SchottkyBarrierDiode
D30FDC15ST
■外観図 OUTLINE
PackageFD
Unit:mm
150V30A
特長
車載用途も対応可能
高耐圧
低 IR
SMDパッケージ
Feature
Availableforautomotiveuse
HighVoltage
LowIR
SMDpackage
00 00
30FDC15T
外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings指定のない場合 Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値
Ratings
単位
Unit
保存温度
StorageTemperature
接合部温度
OperatingJunctionTemperature
せん頭逆電圧
Maximum ReverseVoltage
出力電流
AverageRectifiedForwardCurrent
せん頭サージ順電流
PeakSurgeForwardCurrent
Tstg
Tj
VRM
Io
IFSM
50Hz正弦波,抵抗負荷,一素子当たりの出力電流平均値 Io/2,Tc=107℃
50Hzsinewave,Resistanceload,RatingforeachdiodeIo/2,Tc=107˚C
50Hz正弦波,非繰り返し 1サイクルせん頭値,Tj=25℃
50Hzsinewave,Non-repetitive1cyclepeakvalue,Tj=25˚C
-55~150
150
150
30
300
V
A
A
●電気的・熱的特性
順電圧
ForwardVoltage
逆電流
ReverseCurrent
接合容量
JunctionCapacitance
熱抵抗
ThermalResistance
ElectricalCharacteristics指定のない場合 Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
VF
IR
Cj
θjc
IF=15A,
パルス測定,一素子当たりの規格値
Pulsemeasurement,Perdiode
VR=150V,
パルス測定,一素子当たりの規格値
Pulsemeasurement,Perdiode
f=1MHz,VR=10V,
一素子当たりの規格値
Perdiode
接合部・ケース間
Junctiontocase
MAX 0.88
TYP 0.82
MAX 40
TYP 209
MAX 1.6
V
μA
pF
℃/W
J532-p2014.03〉)
www.shindengen.co.jp/product/semi/




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■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS
Forward Voltage
Reverse Current
D30FDC15ST
Forward Power Dissipation
Reverse Power Dissipation
Derating Curve
Peak Surge Forward Current Capability
Junction Capacitance
Transient Thermal Impedance
* Sinewaveは 50Hzで測定しています。
50Hzsinewaveisusedformeasurements.
www.shindengen.co.jp/product/semi/
J532-p2014.03〉)


Part Number D30FDC15ST
Description Schottky Barrier Diode
Maker SHINDENGEN
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