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D3CE4S Datasheet Preview

D3CE4S Datasheet

Schottky Barrier Diode

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Single
SchottkyBarrierDiode
D3CE4S
■外観図 OUTLINE
PackageCE
40V3A
特長
超小型 SMD
超薄型=1.0mm
低 VF=0.52V
Feature
Ultra-smallSMD
Ultla-thinPKG=1.0mm
LowVF=0.52V
S4
0000
Unit:mm
外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings指定のない場合は Tl=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値
Ratings
単位
Unit
保存温度
StorageTemperature
Tstg
接合部温度
OperatingJunctionTemperature
Tj
せん頭逆電圧
Maximum ReverseVoltage
VRM
繰り返しせん頭サージ逆電圧
RepetitivePeakSurgeReverseVoltage
VRRSM
出力電流
AverageRectifiedForwardCurrent
Io
せん頭サージ順電流
PeakSurgeForwardCurrent
IFSM
パルス幅 0.5ms,duty1/40
Pulsewidth0.5ms,duty1/40
50Hz正弦波,抵抗負荷,Ta=25℃
50Hzsinewave,Resistanceload,Ta=25˚C
*1
50Hz正弦波,抵抗負荷,Ta= 25℃
50Hzsinewave,Resistanceload,Ta=25˚C
50Hz正弦波,抵抗負荷,Tl=106℃
50Hzsinewave,Resistanceload,Tl=106˚C
*2
50Hz正弦波,非繰り返し 1サイクルせん頭値,Tj=25℃
50Hzsinewave,Non-repetitive1cyclepeakvalue,Tj=25˚C
-55~150
150
40
45
1.3
1.7
3.0
80
V
V
A
A
●電気的・熱的特性
順電圧
ForwardVoltage
逆電流
ReverseCurrent
接合容量
JunctionCapacitance
ElectricalCharacteristics指定のない場合は
VF
IF=3.0A,
パルス測定
Pulsemeasurement
IR
VR= 40V,
パルス測定
Pulsemeasurement
Cj f=1MHz,VR=10V
熱抵抗
ThermalResistance
θja
接合部・周囲間
Junctiontoambient
θjl
接合部・リード間
Junctiontolead
*1 ガラス・エポキシ基板実装(2インチ基板)銅箔パターン総面積 32mm2
Measuredonthe2×2inchOnglass-epoxisubstrate(patternarea:32mm2)
*2 ガラス・エポキシ基板実装(2インチ基板)銅箔パターン総面積 160mm2
Measuredonthe2×2inchOnglass-epoxisubstrate(patternarea:160mm2)
Tl=25℃/unlessotherwisespecified)
MAX 0.52
V
MAX 300
μA
TYP 97
pF
*1
MAX 172
*2
MAX 115
℃/W
MAX 15
J532-p2013.12〉)
www.shindengen.co.jp/product/semi/




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D3CE4S Datasheet

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■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS
Forward Voltage
Reverse Current
l
l
l
l
D3CE4S
Forward Power Dissipation
l
l
l
l
l
l
Reverse Power Dissipation
Derating Curve
Derating Curve
Derating Curve
Peak Surge Forward Current Capability
Junction Capacitance
l
l
* Sinewaveは 50Hzで測定しています。
50Hzsinewaveisusedformeasurements.
www.shindengen.co.jp/product/semi/
J532-p2013.12〉)


Part Number D3CE4S
Description Schottky Barrier Diode
Maker SHINDENGEN
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