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SHINDENGEN

F20W60C3 Datasheet Preview

F20W60C3 Datasheet

Power MOSFET

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F20W60C3
PowerMOSFET
■外観図 OUTLINE
PackageMTO-3P
600V20A
特長
低オン抵抗
高速スイッチング
Feature
LowRON
FastSwitching
0000
20W60C3
Unit:mm
外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については捺
印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,referto ourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings指定のない場合 Tc=25℃)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
保存温度
StorageTemperature
チャネル温度
ChannelTemperature
ドレイン・ソース間電圧
Drain-SourceVoltage
ゲート・ソース間電圧
Drain-SourceVoltage
ドレイン電流(直流)
ContinuousDrainCurrent(DC)
ドレイン電流(ピーク)
ContinuousDrainCurrent(Peak)
ソース電流(直流)
ContinuousSourceCurrent(DC)
全損失
TotalPowerDissipation
締め付けトルク
MountingTorque
Tstg
Tch
VDSS
VGSS
ID
IDP
IS
パルス幅 10μs,duty=1/100
Pulsewidth10µs,duty=1/100
PT
TOR
(推奨値:0.5Nm
(Recommendedtorque:0.5Nm)
規格値
Ratings
-55~150
150
600
±30
20
60
20
75
0.8
単位
Unit
V
A
W
N・m
●電気的・熱的特性 ElectricalCharacteristics指定のない場合 Tc= 25℃)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
ドレイン・ソース間降伏電圧
Drain-SourceBreakdownVoltage
V(BR)DSS ID=1mA,VGS=0V
ドレイン遮断電流
ZeroGateVoltageDrainCurrent
IDSS VDS=600V,VGS=0V
ゲート漏れ電流
Gate-SourceLeakageCurrent
IGSS VGS= ±30V,VDS=0V
順伝達コンダクタンス
ForwardTransconductance
gfs ID= 10A,VDS=10V
ドレイン・ソース間オン抵抗
StaticDrain-SourceOn-stateResistance
R(DS)ON
ID= 10A,VGS=10V
ゲートしきい値電圧
GateThressholdVoltage
VTH ID= 1mA,VDS=10V
ソース・ドレイン間ダイオード順電圧
Source-DrainDiodeForwadeVoltage
VSD
IS= 10A,VGS=0V
熱抵抗
ThermalResistance
θjc
接合部・ケース間
Junctiontocase
ゲート全電荷量
TotalGateCharge
Qg VGS=10V,ID= 20A,VDD=400V
入力容量
InputCapacitance
Ciss
帰還容量
ReverseTransferCapacitance
Crss VDS= 25V,VGS=0V,f=1MHz
出力容量
OutputCapacitance
Coss
ターンオン遅延時間
Turn-ondelaytime
td(on)
上昇時間
Risetime
tr ID= 10A,VDD=150V,RL= 15Ω
ターンオフ遅延時間
Turn-offdelaytime
td(off) VGS(+)= 10V,VGS(-)= 0V
下降時間
Falltime
tf
規格値 Ratings 単位
MIN TYP MAX Unit
600
8.7
2.1
──
V
─ 25
μA
─ ±0.1
17.5 ─
S
0.16 0.19 Ω
3.0 3.9
─ 1.5
V
─ 1.66 ℃/W
87 ─ nC
2400 ─
50 ─ pF
780 ─
32 ─
60 ─
355 ─
ns
60 ─
※ケース温度によりジャンクション温度を算出する場合の熱抵抗値は、0.6〔℃/W〕を御使用下さい。但し、上記印加電流、電圧は安全動作領域内での御使用を前提とします。
TheJunctionTemperatureiscalculatedfrom thecasetemperature,thermalresistancevalueuses0.6℃/W.UseintheSafeOperatingAreaforinputcurrentandvoltage.
MOSFET2010.06〉)
www.shindengen.co.jp/product/semi/




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F20W60C3 Datasheet Preview

F20W60C3 Datasheet

Power MOSFET

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■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS
Typical Output Characteristics
Transfer Characteristics
F20W60C3
Static Drain-Source On-static Resistance vs Drain Current
Static Drain-Source On-static Resistance vs Case Temperature Gate Threshold Voltage vs Case emperature Safe Operating Area
Transient Thermal Impedance
Capacitance Characteristics
Power Derating - Case Temperature
Gate Charge Characteristics
* Sinewaveは 50Hzで測定しています。
50Hzsinewaveisusedformeasurements.
www.shindengen.co.jp/product/semi/
MOSFET2010.06〉)



Part Number F20W60C3
Description Power MOSFET
Maker SHINDENGEN
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