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P12F60HP2 Datasheet Preview

P12F60HP2 Datasheet

Power MOSFET

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PowerMOSFET
P12F60HP2
■外観図 OUTLINE
PackageFTO-220AG3pin
Unit:mm
600V12A
特長
高耐圧
低オン抵抗
高速スイッチング
高アバランシェ耐量、高 di/dt耐量
Feature
HighVoltage
LowRON
FastSwitching
HighAvalanchedurability,Highdi/dtdurability
0000
12F60H2
外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings指定のない場合 Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値
Ratings
単位
Unit
保存温度
StorageTemperature
チャネル温度
ChannelTemperature
ドレイン・ソース間電圧
Drain-SourceVoltage
ゲート・ソース間電圧
GateSourceVoltage
ドレイン電流(直流)
ContinuousDrainCurrent(DC)
ドレイン電流(ピーク)
ContinuousDrainCurrent(Peak)
ソース電流(直流)
ContinuousSourceCurrentDC
全損失
TotalPowerDissipation
繰り返しアバランシェ電流
RepetitiveAvalancheCurrent
単発アバランシェエネルギー
SingleAvalancheEnergy
繰り返しアバランシェエネルギー
RepetitiveAvalancheEnergy
ドレイン・ソースダイオード耐量
Drain-SourceDiodedi/dt
絶縁耐圧
DielectricStrength
締め付けトルク
MountingTorque
Tstg
Tch
VDSS
VGSS
ID
IDP
パルス幅 10μs,duty=1/100
Pulsewidth10µs,duty=1/100
IS
PT
IAR StartingTch=25℃,Tch≦150℃
EAS StartingTch=25℃,Tch≦150℃
EAR StartingTch=25℃,Tch≦150℃
di/dt Is=12A,Tc=25℃
Vdis 一括端子・ケース間,AC1分間印加
Terminalstocase,AC1minute
TOR (推奨値:0.3N・m)
(Recommendedtorque:0.3Nm)
-55~150
150
600
±30
12
48
12
90
12
70
7
350
2
0.5
V
A
W
A
mJ
mJ
A/μs
kV
N・m
●電気的・熱的特性 ElectricalCharacteristics指定のない場合 Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値 Ratings 単位
MIN TYP MAX Unit
ドレイン・ソース間降伏電圧
Drain-SourceBreakdownVoltage
V(BR)DSS ID=1mA,VGS=0V
ドレイン遮断電流
ZeroGateVoltageDrainCurrent
IDSS VDS=600V,VGS=0V
ゲート漏れ電流
Gate-SourceLeakageCurrent
IGSS VGS=±30V,VDS=0V
順伝達コンダクタンス
ForwardTransconductance
gfs ID=6A,VDS=10V
ドレイン・ソース間オン抵抗
RStaticDrain-SourceOn-stateResistance (DS)ON
ID=6A,VGS=10V
ゲートしきい値電圧
GateThresholdVoltage
VTH ID=1mA,VDS=10V
ソース・ドレイン間ダイオード順電圧
Source-DrainDiodeForwardVoltage
VSD
IS=6A,VGS=0V
熱抵抗
ThermalResistance
θjc 接合部・ケース間
Junctiontocase
ゲート全電荷量
TotalGateCharge
Qg VDD=400V,VGS=10V,ID=12A
入力容量
InputCapacitance
Ciss
帰還容量
ReverseTransferCapacitance
Crss VDS=50V,VGS=0V,f=1MHz
出力容量
OutputCapacitance
Coss
ターンオン遅延時間
Turn-ondelaytime
td(on)
上昇時間
Risetime
tr ID=6A,RL=25Ω,VDD=150V,Rg=50Ω,
ターンオフ遅延時間
Turn-offdelaytime
td(off) VGS(+)=10V,VGS(-)=0V
降下時間
Falltime
tf
600
7
3.0
14
0.56
3.75
26.5
1230
6
110
27
32
97
28
100
±0.1
0.67
4.5
1.5
1.39
V
μA
S
Ω
V
℃/W
nC
pF
ns
MOSFET2012.06〉)
www.shindengen.co.jp/product/semi/




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P12F60HP2 Datasheet Preview

P12F60HP2 Datasheet

Power MOSFET

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■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS
Typical Output Characteristics
Transfer Characteristics
P12F60HP2
Static Drain-Source On-state Resistance vs Drain Current
Static Drain-Source On-state Resistance vs Case Temperature Gate Threshold Voltage vs Case emperature Safe Operating Area
Transient Thermal Impedance
Capacitance Characteristics
Power Derating - Case Temperature
Gate Charge Characteristics
Single Avalanche Energy Derating vs Channel Temperature Single Avalanche Current vs Inductive Load
www.shindengen.co.jp/product/semi/
* Sinewaveは 50Hzで測定しています。
50Hzsinewaveisusedformeasurements.
MOSFET2012.06〉)


Part Number P12F60HP2
Description Power MOSFET
Maker SHINDENGEN
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