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SHINDENGEN

P9B40HP2 Datasheet Preview

P9B40HP2 Datasheet

Power MOSFET

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Nch
P9B40HP2
PowerMOSFET
■外観図 OUTLINE
PackageFB
Unit:mm
400V9A
特長
面実装タイプ
高耐圧
低ノイズ
低オン抵抗
Feature
SMD
HighVoltage
LowNoise
LowRON
P9B40H2
000000
外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings指定のない場合 Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値
Ratings
単位
Unit
保存温度
StorageTemperature
チャネル温度
ChannelTemperature
ドレイン・ソース間電圧
Drain-SourceVoltage
ゲート・ソース間電圧
Gate-SourceVoltage
ドレイン電流(直流)
ContinuousDrainCurrent(DC)
ドレイン電流(ピーク)
ContinuousDrainCurrent(Peak)
ソース電流(直流)
ContinuousSourceCurrent(DC)
全損失
TotalPowerDissipation
繰り返しアバランシェ電流
RepetitiveAvalancheCurrent
単発アバランシェエネルギー
SingleAvalancheEnergy
繰り返しアバランシェエネルギー
RepetitiveAvalancheEnergy
ドレイン・ソース間ダイオード
Drain-SourceDiode
Tstg
Tch
VDSS
VGSS
ID
IDP
パルス幅 10μs,duty=1/100
Pulsewidth10µs,duty=1/100
IS
PT
IAR
EAS
EAR
Tch=150℃
Tc=Tchからのスターティング温度 Tch=25℃
StartingtemperatureTch=Tc,Tch=25˚C
Tc=Tchからのスターティング温度 Tch=25℃
StartingtemperatureTch=Tc,Tch=25˚C
di/dt Is=9A,Tc=25℃
-55~150
150
400
±30
9
36
9
40
9
37
3.7
350
V
A
W
A
mJ
A/μs
●電気的・熱的特性 ElectricalCharacteristics指定のない場合 Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値 Ratings 単位
MIN TYP MAX Unit
ドレイン・ソース間降伏電圧
Drain-SourceBreakdownVoltage
V(BR)DSS ID=1mA,VGS=0V
ドレイン遮断電流
ZeroGateVoltageDrainCurrent
IDSS VDS=400V,VGS=0V
ゲート漏れ電流
Gate-SourceLeakageCurrent
IGSS VGS=±25V,VDS=0V
順伝達コンダクタンス
ForwardTransconductance
gfs ID=4.5A,VDS=10V
ドレイン・ソース間オン抵抗
StaticDrain-SourceOn-stateResistance
R(DS)ON
ID=4.5A,VGS=10V
ゲートしきい値電圧
GateThresholdVoltage
VTH ID=1mA,VDS=10V
ソース・ドレイン間ダイオード順電圧
Source-DrainDiodeForwardVoltage
VSD
IS=4.5A,VGS=0V
熱抵抗
ThermalResistance
θjc 接合部・ケース間
Junctiontocase
ゲート全電荷量
TotalGateCharge
Qg VDD=320V,VGS=10V,ID=9A
入力容量
InputCapacitance
Ciss
帰還容量
ReverseTransferCapacitance
Crss VDS=50V,VGS=0V,f=1MHz
出力容量
OutputCapacitance
Coss
ターンオン遅延時間
Turn-ondelaytime
td(on)
上昇時間
Risetime
tr ID=4.5A,RL=33.3Ω,VDD=150V,
ターンオフ遅延時間
Turn-offdelaytime
td(off) VGS(+)=10V,VGS(-)=0V
降下時間
Falltime
tf
400
3.5
3.0
7.0
0.65
3.75
14.5
575
5
60
8.5
30
50
25
─V
100 μA
±10 μA
─S
0.80 Ω
4.5 V
1.5
3.12 ℃/W
─ nC
─ pF
ns
MOS-P2016.02〉)
www.shindengen.co.jp/product/semi/




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P9B40HP2 Datasheet Preview

P9B40HP2 Datasheet

Power MOSFET

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■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS
Typical Output Characteristics
Transfer Characteristics
P9B40HP2
Static Drain-Source On-static Resistance vs Drain Current
Static Drain-Source On-static Resistance vs Case Temperature Gate Threshold Voltage vs Case emperature Safe Operating Area
Transient Thermal Impedance
Capacitance Characteristics
Power Derating - Case Temperature
Gate Charge Characteristics
Single Avalanche Current vs Inductive Load Single Avalanche Energy Derating vs Channel Temperature
www.shindengen.co.jp/product/semi/
* Sinewaveは 50Hzで測定しています。
50Hzsinewaveisusedformeasurements.
MOS-P2016.02〉)


Part Number P9B40HP2
Description Power MOSFET
Maker SHINDENGEN
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