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SHINDENGEN

S60JC10V Datasheet Preview

S60JC10V Datasheet

Schottky Barrier Diode

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Twin SchottkyBarrierDiode
S60JC10V
■外観図 OUTLINE
PackageMTO-3PV
100V60A
特長
VF
高耐圧
IR
低ノイズ
高速スイッチング
Feature
LowVF
Low Noise
HighVoltage HighRecoverySpeed
LowIR
0000
S60JC10V
Unit:mm
外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については捺
印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,referto ourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings指定のない場合 Tc=25℃)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
保存温度
StorageTemperature
接合部温度
OperationJunctionTemperature
せん頭逆電圧
Maximum ReverseVoltage
出力電流
AverageRectifiedForwardCurrent
せん頭サージ順電流
PeakSurgeForwardCurrent
締め付けトルク
MountingTorque
Tstg
Tj
VRM
Io
50Hz正弦波,抵抗負荷,1素子当りの出力電流平均値 Io/2,Tc=118℃
50Hzsinewave,Resistanceload,RatingforeachdiodeIo/2,Tc=118˚C
IFSM
50Hz正弦波,非繰り返し 1サイクルせん頭値,Tj=25℃
50Hzsinewave,Non-repetitive1cyclepeakvalue,Tj=25˚C
TOR
(推奨値:0.5N・m)
(Recommendedtorque:0.5Nm)
規格値
Ratings
-55~150
150
100
60
500
0.8
単位
Unit
V
A
A
N・m
●電気的・熱的特性
順電圧
ForwardVoltage
逆電流
ReverseCurrent
接合容量
JunctionCapacitance
熱抵抗
ThermalResistance
ElectricalCharacteristics指定のない場合 Tc=25℃)
VF
IR
Cj
θjc
IF=30A,
パルス測定,1素子当りの規格値
Pulsemeasurement,Perdiode
VR
100V,
パルス測定,1素子当りの規格値
Pulsemeasurement,Perdiode
f=1MHz,VR=10V,
1素子当りの規格値
Perdiode
接合部・ケース間
Junctiontocase
MAX 0.95
MAX 0.2
TYP 695
MAX 0.5
V
mA
pF
℃/W
J533-P2010.06〉)
www.shindengen.co.jp/product/semi/




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■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS
Forward Voltage
Forward Power Dissipation
S60JC10V
Peak Surge Forward Current Capability
Reverse Current
Reverse Power Dissipation
Junction Capacitance
Tc-Io
Derating Curve Tc-Io
* Sinewaveは 50Hzで測定しています。
50Hzsinewaveisusedformeasurements.
www.shindengen.co.jp/product/semi/
J533-P2010.06〉)


Part Number S60JC10V
Description Schottky Barrier Diode
Maker SHINDENGEN
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