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SHINDENGEN

SG10SC9M Datasheet Preview

SG10SC9M Datasheet

Schottky Barrier Diode

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Twin SchottkyBarrierDiode
SG10SC9M
■外観図 OUTLINE
PackageFTO-220G3pin
90V10A
特長
Tj=175℃
Feature
Tj=175°C
0000
G10SC9M
Unit:mm
外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings指定のない場合 Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値
Ratings
単位
Unit
保存温度
StorageTemperature
Tstg
接合部温度
OperationJunctionTemperature
Tj
せん頭逆電圧
Maximum ReverseVoltage
VRM
繰り返しせん頭サージ逆電圧
RepetitivePeakSurgeReverseVoltage
VRRSM
パルス幅05.ms,duty1/40
Pulsewidth0.5ms,duty1/40
出力電流
AverageRectifiedForwardCurrent
Io
50Hz正弦波,抵抗負荷,一素子当りの出力電流平均値 Io/2,Tc=139℃
50Hzsinewave,Resistanceload,PerdiodeIo/2,Tc=139˚C
せん頭サージ順電流
PeakSurgeForwardCurrent
IFSM
50Hz正弦波,非繰り返し1サイクルせん頭値,Tj=25℃
50Hzsinewave,Non-repetitive1cyclepeakvalue,Tj=25˚C
絶縁耐圧
DielectricStrength
Vdis
一括端子・ケース裏面間,AC1分間印加
Terminalstocasebackside,AC1minute
締め付けトルク
MountingTorque
TOR
(推奨値:03.N・m)
(Recommendedtorque:0.3Nm)
-55~175
175
90
100
10
150
1.5
05.
V
V
A
A
kV
N・m
●電気的・熱的特性
順電圧
ForwardVoltage
逆電流
ReverseCurrent
接合容量
JunctionCapacitance
熱抵抗
ThermalResistance
ElectricalCharacteristics指定のない場合 Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
VF
IR
Cj
θjc
IF=5A,
パルス測定,一素子当りの規格値
Pulsemeasurement,Perdiode
VR= VRM,
パルス測定,一素子当りの規格値
Pulsemeasurement,Perdiode
f=1MHz,VR=10V,
一素子当りの規格値
Perdiode
接合部・ケース間
Junctiontocase
MAX07.5
TYP 06.5
MAX 05.
TYP 140
MAX 30.
V
mA
pF
℃/W
J533-p2012.12〉)
www.shindengen.co.jp/product/semi/




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■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS
Forward Voltage
Forward Power Dissipation
SG10SC9M
Peak Surge Forward Current Capability
Reverse Current
Reverse Power Dissipation
Junction Capacitance
Tc-Io
Derating Curve Tc-Io
* Sinewaveは 50Hzで測定しています。
50Hzsinewaveisusedformeasurements.
www.shindengen.co.jp/product/semi/
J533-p2012.12〉)


Part Number SG10SC9M
Description Schottky Barrier Diode
Maker SHINDENGEN
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