ELM7785-10F
Key Features
- High Output Power ： P1dB=40.5dBm(typ.)
- High Gain ： G1dB=8.5dB(typ.)
- High P.A.E. ： ηadd=37%(typ.)
- Broad Band ： 7.7 - 8.5GHｚ
- Impedance Matched Zin/Zout = 50Ω
- Part: ELM7785-10F
- Description: C-Band Internally Matched FET
- Manufacturer: SUMITOMO
- Size: 303.30 KB