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Siemens Electronic Components Datasheet

LD274 Datasheet

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter

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GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
LD 274
Area not flat
0.6
9.0
8.2
0.4 7.8
7.5
5.9
5.5
1.8
1.2
29
27
Cathode (Diode)
Collector (Transistor)
Approx. weight 0.5 g
5.7
5.1
Chip position
0.6
0.4
GEX06260
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q Sehr enger Abstrahlwinkel
q GaAs-IR-LED, hergestellt im
Schmelzepitaxieverfahren
q Hohe Zuverlässigkeit
q Hohe Impulsbelastbarkeit
q Gruppiert lieferbar
q Gehäusegleich mit SFH 484
Features
q Extremely narrow half angle
q GaAs infrared emitting diode, fabricated in a
liquid phase epitaxy process
q High reliability
q High pulse handling capability
q Available in groups
q Same package as SFH 484
Anwendungen
q IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern, Geräten
Applications
q IR remote control of hi-fi and TV-sets, video
tape recorders, dimmers,
of various equipment
Typ
Type
LD 274
Bestellnummer
Ordering Code
Q62703-Q1031
LD 274-21)
Q62703-Q1819
LD 274-3
Q62703-Q1820
1) Nur auf Anfrage lieferbar.
1) Available only on request.
Gehäuse
Package
5-mm-LED-Gehäuse (T 1 3/4), graugetöntes Epoxy-
Gießharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’),
Kathodenkennzeichnung: Kürzerer Lötspieß, flat
5 mm LED package (T 1 3/4), grey colored epoxy resin
lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’), cathode
marking: shorter solder lead, flat
Semiconductor Group
1
1997-11-01



Siemens Electronic Components Datasheet

LD274 Datasheet

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter

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LD 274
Grenzwerte (TA = 25 °C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Sperrspannung
Reverse voltage
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom, tp = 10 µs, D = 0
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Symbol
Symbol
Top; Tstg
Tj
VR
IF
IFSM
Ptot
RthJA
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
IF = 100 mA, tp = 20 ms
Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax
Spectral bandwidth at 50 % of Imax
IF = 100 m A, tp = 20 ms
Abstrahlwinkel
Half angle
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktive Chipfläche
Dimension of the active chip area
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip front to lens top
Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50
Switching times, Ie from 10 % to 90 % and
from 90 % to 10 %, IF = 100 mA, RL = 50
Symbol
Symbol
λpeak
∆λ
ϕ
A
L×B
L×W
H
tr, tf
Semiconductor Group
2
Wert
Value
– 55 ... + 100
Einheit
Unit
°C
100 °C
5V
100 mA
3A
165 mW
450 K/W
Wert
Value
950
55
Einheit
Unit
nm
nm
± 10
0.09
0.3 × 0.3
Grad
mm2
mm
4.9 ... 5.5
1
mm
µs
1997-11-01


Part Number LD274
Description GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter
Maker Siemens Group
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8 LD271LH INFRARD EMITTER
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9 LD273 TWO CHIP INFRARED EMITTER
Siemens Group





Part Number Start With

0    1    2    3    4    5    6    7    8    9    A    B    C    D    E    F    G    H    I    J    K    L    M    N    O    P    Q    R    S    T    U    V    W    X    Y    Z

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