900,000+ datasheet pdf search and download

Datasheet4U offers most rated semiconductors data sheet pdf






TT

HCT802TXV Datasheet Preview

HCT802TXV Datasheet

Dual Enhancement Mode MOSFET

No Preview Available !

Dual Enhancement Mode
MOSFET
HCT802, HCT802TX, HCT802TXV
Features:
 6 pad surface mount package
 VDS = 90V
 RDS(on) < 5Ω
 ID(on) N-Channel = 1.5A | P-Channel = 1.1A
 Two devices selected for VDS ID(on) and RDS(on) similarity
 Full TX Processing Available
 Gold plated contacts
Description:
HCT802 oers an NChannel and PChannel MOS transistor in a herme c ceramic surface mount package. The devices used 
are similar to industry standards 2N6661 NChannel device and VP1008 PChannel device.  These two enhancement mode 
MOSFETS are par cularly well matched for VDS, IDS(on), RDS(on) and Gfs.
 
TX and TXV devices are processed to OPTEK’s military screening program pa erned a er MILPRF19500. 
TX products receive a VGS HTRB at 24 V for 48 hrs. at 150° C and a VDS HTRB at 48 V for 260 hrs.at 150° C. 
 
Applications:
 Drivers: Solid State
Relays, Lamps,
Solenoids, Displays,
Memories, etc.
 Motor Control
 Power Supply
Circuits
 
Part 
Number 
Sensor Type 
VDSS  ID(ON) (mA) 
Min  Min 
Gfs (ms) 
Min 
HCT801  N & P ‐Channel 
HCT801TX  Enhancement   90  1.5 & ‐1.1  170 & 200 
HCT801TXV 
MOSFET 
t(ON) / t(OFF) (ns) 
Max 
Package 
15/17 & 50/50  6pin Ceramic 
General Note
TT Electronics reserves the right to make changes in product specification without
notice or liability. All information is subject to TT Electronics’ own data and is
considered accurate at time of going to print.
© TT electronics plc
OPTEK Technology, Inc.
1645 Wallace Drive, Carrollton, TX 75006|Ph: +1 972 323 2200
www.optekinc.com | www.ttelectronics.com
Issue A 11/2016 Page 1




TT

HCT802TXV Datasheet Preview

HCT802TXV Datasheet

Dual Enhancement Mode MOSFET

No Preview Available !

Dual Enhancement Mode
MOSFET
HCT802, HCT802TX, HCT802TXV
Absolute Maximum Ra ngs  
Drain Source Voltage 
GateSource Voltage 
Drain Current (Limited by Tj max) NChannel 
                                                             PChannel 
Opera ng and Storage Temperature 
Power Dissipa on 
TA = 25°C (Both devices equally driven) 
TA = 25°C (Both devices equally driven) 
(TS = Substrate that the package is soldered to) 
90V 
±20 V 
2A 
1.1A 
-55° C to +150° C
0.5 W Total 
1.5 W Total (1) 
 
Electrical Characteris cs (TA = 25° C unless otherwise noted) 
SYMBOL 
PARAMETER 
DEVICE 
B=BOTH 
MIN 
MAX 
UNITS 
TEST CONDITIONS 
BVDSS  DrainSource Breakdown 
B  90(2)   
V  ID = 10 µA(2), VGS = 0 
VTH   Gate Threshold Voltage  
N 
0.75 
2.5 
P  ‐2.0  ‐4.5 
V  VGS = VDS, ID = 1 mA 
V  ID = ‐1 mA 
IGSS  GateBody Leakage 
IDSS   Zero Gate Voltage Drain Current  
B    ±100  nA  VGS = ± 20 V, VDS = 0 
B    10(2)  µA  VDS = 90 V(2), VGS = 0 V 
B    500(2)  µA  Tj = 150° C 
ID(on)   OnState Drain Current  
RDS(on)  DrainSource on Resistance 
N  1.5   
P  ‐1.1   
B    5 
A  VDS = 25 V, VGS = 10 V 
A  VDS = ‐15 V, VGS = ‐10 V 
Ω  VGS = 10 V(2), ID = 1 A(2) 
Gfs  Forward Transconductance 
N  170    mmho  VDS = 25V, ID = 0.5 A 
  
P  200    Mmho  VDS = ‐10 V, ID = ‐0.5 A 
CISS  Input Capacitance 
N    70  pf  VDS = 25 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz 
  
P    150  pf  VDS = ‐25 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz 
COSS  Common Source Output Capacitance 
N 
  40  pf  VDS = 25 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz 
  
P    60  pf  VDS = ‐25 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz 
CRSS  Reverse Transfer Capacitance 
N    10  pf  VDS = 25 V, VGS = 0 A, f = 1 MHz 
  
P    25  pf  VDS = ‐25 V, VGS = 0 A, f = 1 MHz 
Note:  
1)  This ra ng is provided as an aid to designers.  It is dependent upon moun ng material and methods and is not measurable as an outgoing test. 
2)  Reverse polarity for PChannel device 
General Note
TT Electronics reserves the right to make changes in product specification without
notice or liability. All information is subject to TT Electronics’ own data and is
considered accurate at time of going to print.
© TT electronics plc
OPTEK Technology, Inc.
1645 Wallace Drive, Carrollton, TX 75006|Ph: +1 972 323 2200
www.optekinc.com | www.ttelectronics.com
Issue A 11/2016 Page 2


Part Number HCT802TXV
Description Dual Enhancement Mode MOSFET
Maker TT
Total Page 3 Pages
PDF Download

HCT802TXV Datasheet PDF

View PDF for Mobile








Similar Datasheet

1 HCT802TX Dual Enhancement Mode MOSFET
TT
2 HCT802TX Dual En hance ment Mode MOS FET
OPTEK
3 HCT802TXV Dual Enhancement Mode MOSFET
TT
4 HCT802TXV Dual En hance ment Mode MOS FET
OPTEK





Part Number Start With

0    1    2    3    4    5    6    7    8    9    A    B    C    D    E    F    G    H    I    J    K    L    M    N    O    P    Q    R    S    T    U    V    W    X    Y    Z

Site map

Webmaste! click here

Contact us

Buy Components

Privacy Policy