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W2XN004 Datasheet Preview

W2XN004 Datasheet

High Frequency Amplifier Ambient Rated Bipolar Transistor

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江阴新顺微电子有限公司分立器件芯片
W2XN004
高频放大环境额定双极型晶体管
文件编号 XS-W-004
版 本 号 16-A5-05
页 码 1/2
1 主要用途与主要特点
1.1 主要用途
W2XN004 芯片封装的成品管主要用于 VHF 中作本振及电话机电路。
1.2 主要特点
● 特征频率高
● 反向漏电小
2 芯片数据
芯片示意图
芯片尺寸(㎜×㎜)
0.46×0.32
芯片厚度(µm
划片道*尺寸(µm
键合区面积
基区
(µm2)
发射区
170±20
40
φ80
φ80
钝化层
正面电极金属
金属
厚度(µm)
Si3N4
1.4±0.3
背面电极金属(表层)
装片要求(推荐)
共晶
低温共晶
硅片直径(㎜)
φ125
键合要求(推荐)
铜丝:Φ25µmEB 区各一根
* 划片道位置示意图:
走刀参考
线
划片道
备注:划片道两侧的铝条不断裂即判为合格。
江阴新顺微电子有限公司
地 址:江苏省江阴市滨江中路 275
网址:http://www.xinshun.cn
电 话:(051086851182 86852109
传真:(051086851532




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江阴新顺微电子有限公司分立器件芯片
W2XN004
高频放大环境额定双极型晶体管
文件编号 XS-W-004
版 本 号 16-A5-05
页 码 2/2
3 电特性(在推荐的封装形式、适当的封装条件下)
3.1 极限值
除非另有规定,Tamb= 25
参数名称
符号
额定值
集电极-基 极电压
VCB0 30
集电极-发射极电压
VCE0 25
发射极-基 极电压
VEB0 4
集电极电流
IC 50
耗散功率(Tamb=25)
Ptot 0.3
结温
Tj 150
贮存温度
Tstg -55150
单位
V
V
V
mA
W
备注
推荐封装形式:TO-92
推荐成品型号:
3DG388
2SC2216
3.2 电参数
除非另有规定,Tamb= 25
参数名称
符号
集电极-基极截止电流
发射极-基极截止电流
共发射极正向电流传输比
的静态值
集电极-发射极饱和电压
特征频率
ICB0
IEB0
hFE
VCEsat
fT
测试条件
VCB=20V, IE=0
VEB= 3.5V ,IC=0
规范值
最小 典型 最大
0.1
0.1
VCE= 12..5V, IC=12..5 mA 40
200
IC=15mA, IB=1.5mA
VCE=12..5V, IC=12..5mA
f=100MHz
300
0.2
单位
μA
μA
V
MHz
注意事项:
芯片存储条件(推荐):氮气保护,温度 25±5℃,湿度≤45%
本产品说明书仅供参考,不作为合同的一部分,具体以双方签订的技术协议为准;
本产品说明书如有版本变更,恕不另行告知!客户在下单前应获取最新版本资料并验证相
关信息是否完整和更新;
任何半导体产品在特定条件下都有发生失效或故障的可能,买方有责任在使用新顺产品时
遵守安全使用标准并采取安全措施,以避免潜在的失效或故障风险造成人身伤害或财产损
失的发生。
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Part Number W2XN004
Description High Frequency Amplifier Ambient Rated Bipolar Transistor
Maker XINSUN
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