| Part number | W2XN004 |
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| Datasheet | W2XN004-XINSUN.pdf |
| File Size | 184.90 KB |
| Manufacturer | XINSUN |
| Description | High Frequency Amplifier Ambient Rated Bipolar Transistor |
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江阴新顺微电子有限公司分立器件芯片 W2XN004 高频放大环境额定双极型晶体管 文件编号 XS-W-004 版 本 号 16-A5-05 页 码 1/2 1 主要用途与主要特点 1.1 主要用途 用 W2XN004 芯片封装的成品管主要用于 VHF 中作本振及电话机电路。 1.2 主要特点 特征频率高 反向漏电小 2 芯片数据 芯片示意图 芯片尺寸（㎜×㎜） 0.46×0.32 芯片厚度（µm） 划片道 尺寸（µm） 键合区面积 基区 (µm2) 发射区 170±20 40 φ80 φ80 钝化层 正面电极金属.
| Part Number | Description |
|---|---|
| W2XN003 | High Frequency Amplifier Ambient Rated Bipolar Transistor |
| W2XN021 | High Frequency Amplifier Ambient Rated Bipolar Transistor |
| W2XN9155 | Low-frequency amplification shell rated bipolar transistors |
| W2XN934 | Low-frequency amplification shell rated bipolar transistors |
| W2XN9386 | Low-frequency amplification case - rated bipolar transistors |
| W2XN9500 | Low-frequency amplification case - rated bipolar transistors |
