2T3108B
2T3108B is Silicon epitaxial-planar pnp transistor manufactured by kwazar-is.
- Part of the 2T3108A-kwazar comparator family.
- Part of the 2T3108A-kwazar comparator family.
EV.UA KWAZAR- S.K
ДП КВАЗАР-ИС ЭТИКЕТКА
Транзисторы: 2Т3108А, 2Т3108Б, 2Т3108В.
Кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p транзисторы 2Т3108А, 2Т3108Б, 2Т3108В выполненные в металло-стеклянном корпусе типа КТ-1-7 (ТО-18) и предназначены для применения в радиоэлектронных устройствах широкого назначения.
Схемы расположения выводов
Ключ
Э
Б
К
Масса не более 0,5 г
ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПРИ ТЕМПЕРАТУРЕ (25 + 10) 0С
Наименование параметра, единица измерения (режим измерения)
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Uкб = 1 В, Iэ = 10 мА) Обратный ток коллектора, мкА (Uкб = 60 В для 2Т3108А, Uкб = 45 В для 2Т3108Б, 2Т3108В) Обратный ток эмиттера, мкА (Uэб = 5 В) Напряжение насыщения коллектор-эмиттера, В (Iк = 10 мА, Iб = 1 мА) Коэффициент шума, дБ (Uкэ = 5 В, Iк = 1 мА, f = 100 МГц, Rг = 50 Ом) Ёмкость коллекторного перехода, пФ (Uкб = 10 В, f = 5
- 10 МГц) Ёмкость эмиттерного перехода, пФ (Uэб = 1 В, f = 5
- 10 МГц) Время рассасывания, нс (Iк = 10 мА, Iб1 = Iб2 = 1 мА) Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, пс (Uкб = 10 В, Iк = 10 мА, f = 30 МГц)
Буквенное 2Т3108А
обозна- не не чение менее более h21Э
50 150
IКБ0 IЭБ0 UКЭнас
- 0,2
- 0,1
- 0,25
КШ
- 6
СК
- 5
СЭ
- 6 tрас
- 175 tК
-...