2N5172
2N5172 NPN
Version 2006-05-15 Power dissipation Verlustleistung
E BC
General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz
625 m W TO-92 (10D3) 0.18 g
Plastic case Kunststoffgehäuse
Weight approx.
- Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
..
2 x 2.54
Dimensions
- Maße [mm]
Maximum ratings (TA = 25°C) Collector-Emitter-volt.
- Kollektor-Emitter-Spannung Collector-Base-volt.
- Kollektor-Basis-Spannung Emitter-Base-voltage
- Emitter-Basis-Spannung Power dissipation
- Verlustleistung Collector current
- Kollektorstrom (dc) Junction temperature
- Sperrschichttemperatur Storage temperature
- Lagerungstemperatur B open E open C open VCEO VCBO VEBO Ptot IC Tj TS 25 V 25 V 5V
Grenzwerte (TA = 25°C) 2N5172
625 m W 1) 100 m A -55...+150°C -55…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C) Min....
