U2G4460-50F2 Datasheet (ETC) - GaN high electron mobility transistor

U2G4460-50F2, GaN high electron mobility transistor

C1210X475K016T C5750X5R1H106K CL005X7R1H472K101BB DLC75D820JW251XT DLC75D3R9BW251XT DLC75D3R6BW251XT RTT05100JTP U2G4460-50F2 Rogers 4350B Value 4.7uF 100V 1210 10uF 100V 2220 4.7nF 250V 1206 82pF 250V 0805 3.9pF 250V 0805 3.6pF 250V 0805 10Ω-0805 50W 20mil Vendor PSA TDK TDK Deli-cap Deli-cap Del

Production U2G4460-50F2 50W，4.4~6GHz， U2G4460-50F2 50W 4.4~6GHz 。、。， 28V 。 5.8GHz Demo board 1： Ø : 60W Ø : 61.7% 1: 5.7～5.9GHz， VDD=28V, IDQ=400mA。 : ， 2 （360º ）3 VDSS VDD VGS IGMAX TSTG Tj TMAX Rθjc TC VSWR-T 150 55 -10 ~ +2 10.6 -65 ~ +150 225 275 2.6 -40 ~ +85 10:1, 50W 2：，：PDISS=36.2W， 85℃。 3：， 100us， 10%。 V V V mA ℃ ℃ ℃ ℃/W ℃ ／ Production VGS -5V VDS VGS， IDQ VDS VGS (TC=25℃， ) (VGS = -10 V, ID = 10.6 mA) (VDS = 28 V, ID = 10.6 mA) (VDD