FHP830
Feihonltd
159.49 KB
N-channel enhancement mode power mos fet.
FHP830 N MOS 。AC-DC ，DC-DC，HPMW。
★ 5.5A,500V,RDS(on)(）1.34Ω ★ 、 ★
FHP830
（TC=25℃）
* TC=25℃ TC=25℃
VDSS
ID VGS PD TJ Tstg
（TC=.
📁 Related Datasheet
FHP840 - N-channel enhancement mode power MOSFET
(Feihong)
* '6
72
*' 6
72 )
'
* 6
VDSS ID VGSS PD TJ Tstg EAS
Ciss Coss Crss
VDS 9,VGS 9 I 0+] VDS 9,VGS 9 I 0+] VDS=259,VGS 9 I 0.
FHP8N60 - N-channel enhancement mode power MOSFET
(Feihong)
* '6
72
*' 6
72 )
'
* 6
VDSS ID VGSS PD TJ Tstg EAS
Ciss Coss Crss
VDS 9,V*6 9 I 0+] VDS 9,V*6 9 I 0+] VDS 9,V*6 9 I 0.
FHP10N60 - N-Channel MOSFET
(Feihonltd)
Free Datasheet http://..
FHP10N60 N MOS 。 AC-DC ，DC-DC，HPMW 。
★ 10A,600V,RDS(on)(）0.7Ω ★ 、 ★
FHP10N60
（TC=25℃）
— .
FHP12N60 - N-channel enhancement mode power MOS FET
(Feihonltd)
FHP12N60 N MOS 。 AC-DC ，DC-DC，HPMW 。
★ 12A,600V,RDS(on)(）0.6Ω ★ 、 ★
FHP12N60
（TC=25℃）
— TC=25℃ TC=25℃
VDSS
ID VGS PD TJ Tstg
.
FHP20100 - Schottky diodes
(Feihonltd)
1
1.A 2.K 3.A
72
Available
RoHS*
COMPLIANT
1
1.A 2.K 3.A
72 )
VRRM IF(AV) IFSM EAS IRRM dv/dt TJ,TSTG
VBR
IR=10mA
TA=25
VF
IF=5A IF=1.
FHP20200 - Transistor
(Feihonltd)
20200
1
1.A 2.K 3.A
72
Available
RoHS*
COMPLIANT
VRRM IF(AV) IFSM EAS IRRM dv/dt TJ,TSTG
1
1.A 2.K 3.A
TO-220F
is
VBR IR=1.0mA TA=25
VF
.
FHP20N40 - N-channel enhancement mode power MOS field FET
(Feihonltd)
)+3 1
*'672
VDS ID VGS PD TJ Tstg EAS
'
* 6
Ciss Coss Crss
VDS= 9,9*6 9 I 0+] VDS 9,V*6 9 I 0+] VDS=25v,VGS 9 I 0+].
FHP20N50 - N-Channel MOSFET
(Feihonltd)
)+3 1
Ӂ૭ඍ
Ӂหׄ
/ູ/֡ᄹ఼ۚੱۿ.04ӆ
7
3%4 PO
Ȥ UZQ
7(4 7
ིႋܵbھӁܼٗൡႨႿ $%$षܱჷđ ֮ހaّ֮ཟԮൻಸ
%$.
