A1002 Datasheet | Inchange Semiconductor

DESCRIPTION   - High Current Capability  - Collector­Emitter Breakdown Voltage­  : V(BR)CEO= ­120V(Min.)  APPLICATIONS  - Designed for audio and general purpose applications.  ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)  SYMBOL  PARAMETER  VALUE  UNIT  VCBO  Collector­Base Voltage  ­120  V  VCEO  Collector­Emitter Voltage  ­120  V  VEBO  Emitter­Base Voltage  ­6  V  IC  Collector Current­Continuous  Collector Power Dissipation  PC  @TC=25℃  Tj  Junction Temperature  Tstg  Storage Temperature  ­12  A  120  W  150  ℃  ­55~150  ℃ isc website：.iscsemi.cn  1  INCHANGE Semiconductor  isc Silicon PNP Power Transistor  isc Product Specification  2SA1002  ELECTRICAL CHARACTERISTICS  Tj=25℃  unless otherwise specified  SYMBOL  PARAMETER  CONDITIONS  MIN  TYP.  MAX  UNIT  V(BR)CEO  Collector­Emitter Breakdown Voltage  IC= ­30m A; IB= 0  ­120  V  V(BR)CBO  Collector­Base Breakdown Voltage  IC= ­1m A; IE= 0  ­120  V  V(BR)EBO  Emitter­Base Breakdown Voltage  IE= ­1m A; IC= 0  ­6  V ...