FF1000R17IE4DP_B2 Datasheet - Infineon

FF1000R17IE4DP_B2 IGBT

Technische Information / Technical Information IGBT-Modul IGBT-Module FF1000R17IE4DP_B2 PrimePACK™3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode PrimePACK™3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled diode Typische Anwendungen Traktionsumrichter Windgeneratoren Elektrische Eigenschaften Hohe Kurzschlussrobustheit Hohe Stoßstromfestigkeit Hohe Stromdichte Niedrige Schaltverluste Tvj op = 150°.

FF1000R17IE4DP_B2 Features

* High short-circuit capability

* High surge current capability

* High current density

* Low switching losses

* Tvj op = 150°C

* VCEsat with positive temperature coefficient

* Enlarged diode for regenerative operation Mechanical Features

FF1000R17IE4DP_B2-Infineon.pdf