FZ1200R17HP4_B2 Datasheet - Infineon

FZ1200R17HP4_B2 IGBT

Technische Information / Technical Information IGBT-Modul IGBT-Module FZ1200R17HP4_B2 IHM-B Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode IHM-B module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled diode VCES = 1700V IC nom = 1200A / ICRM = 2400A Typische Anwendungen Anwendungen für Resonanz Umrichter Hochleistungsumrichter Traktionsumrichter Windgeneratoren Elektrische Eigenschaften Erweiterte Sperrschichttemperatur Tvj .

FZ1200R17HP4_B2 Features

* Extended operating temperature Tvj op

* Low VCEsat

* Enlarged diode for regenerative operation Mechanical Features

* 4 kV AC 1min insulation

* AlSiC base plate for increased thermal cycling capability

* Package with CTI > 400

* High creepage

FZ1200R17HP4_B2 Datasheet (577.74 KB)