FZ800R12KS4_B2 Datasheet - Infineon

FZ800R12KS4_B2 IGBT

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-modules FZ800R12KS4_B2 Hochleistungsmodul mit AlSiC Bodenplatte und schnellem IGBT2 für hochfrequentes Schalten High Power Module with AlSiC base plate and short tail IGBT2 for high switching frequency IGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter Höchstzulässige Werte / Maximum Rated Values Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emitter voltage Tvj = 25°C Kollektor-Dauergleichstrom Continuous DC collector current TC = 80°C, Tvj.

FZ800R12KS4_B2 Datasheet (413.19 KB)