КТ816 p-n-p кремниевый биполярный транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения. Зарубежные прототипы Прототип КТ816Б BD234 Прототип КТ816В BD236 Прототип КТ816Г BD238 Особенности Диапазон рабочих температур корпуса от - 60 до + 150°C Комплиментарная пара
