KT863 Datasheet - SIT

KT863 Silicic epitaxial planar NPN TRANSISTOR

НТЦ СИТ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЦЕНТР СХЕМОТЕХНИКИ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ. РОССИЯ, БРЯНСК КТ863/БС(x) КРЕМНИЕВЫЙ ЭПИТАКСИАЛЬНО-ПЛАНАРНЫЙ N-P-N ТРАНЗИСТОР ОСОБЕННОСТИ_________ Малая зависимость коэффициента усиления h21э от температуры Максимально допустимый постоянный ток коллектора до 12 А, импульсный до 15 А. Максимально допустимое напряжения коллектор-эмиттер до 160 В (при Rэб=1кОм) Температура окружающей среды минус 60°С плюс 130°С

KT863-SIT.pdf